[发明专利]具有气相沉积膜的塑料成形品及生产该成形品的方法

权利要求书

1.一种塑料成形品，其包括聚乳酸基板和通过等离子体 CVD法在所述聚乳酸基板表面上形成的气相沉积膜，其中，

所述气相沉积膜包括：在所述聚乳酸基板侧面上形成并具 有2.5至13的元素比C/M和不大于0.5的元素比O/M的有机金属 气相沉积层，和在所述有机金属气相沉积层上形成的烃气相沉 积层，其中，M为金属元素；和

所述烃气相沉积层具有厚度在40至180nm的范围内，通过 FT-IR测量，在3200至2600cm^-1的波数区域内显示由CH、CH₂和CH₃引起的峰，并基于上述峰计算的CH、CH₂和CH₃的总和具 有不大于35%的CH₂比率和不小于40%的CH₃比率，

其中所述有机金属气相沉积层具有3至40nm范围内的厚 度。

2.根据权利要求1所述的塑料成形品，其中所述元素M为 Si。

3.根据权利要求1所述的塑料成形品，其中所述聚乳酸基 板为瓶，所述气相沉积膜至少在所述瓶的内表面上形成。

4.一种生产在表面具有气相沉积膜的塑料成形品的方法， 其包括以下步骤：

通过等离子体CVD，不使用氧而供给有机金属化合物气体 作为反应气体，在聚乳酸基板上形成具有2.5至13的元素比C/M 和不大于0.5的元素比O/M的有机金属气相沉积层，其中，M为 金属元素；然后

通过等离子体CVD，使用输出功率不小于450W的微波或 高频，同时供给脂族不饱和烃气体和/或芳族烃气体作为反应气 体，在所述有机金属气相沉积层上形成烃气相沉积层，

所形成的所述烃气相沉积层具有厚度在40至180nm的范围 内，通过FT-IR测量，在3200至2600cm^-1的波数区域内显示由 CH、CH₂和CH₃引起的峰，并基于上述峰计算的CH、CH₂和CH₃的总和具有不大于35%的CH₂比率和不小于40%的CH₃比率，

其中所形成的所述有机金属气相沉积层具有3至40nm范围 内的厚度。

5.根据权利要求4所述的生产方法，其中用于形成所述烃 气相沉积层的时间为0.5至5秒。

6.根据权利要求4所述的生产方法，其中将乙烯和/或乙炔 用作在形成所述烃气相沉积层的步骤中的反应气体。

7.根据权利要求4所述的生产方法，其中将不含氧原子的 化合物用作在形成所述有机金属气相沉积层的步骤中的有机金 属化合物。

8.根据权利要求4所述的生产方法，其中将有机硅化合物 用作所述有机金属化合物。

9.根据权利要求8所述的生产方法，其中将三甲基乙烯基 硅烷用作所述有机硅化合物。

10.根据权利要求8所述的生产方法，其中将叔丁基二甲基 硅烷用作所述有机硅化合物。

11.根据权利要求4所述的生产方法，其中将所述有机金属 化合物气体单独用作在形成所述有机金属气相沉积层的步骤中 的反应气体。

12.根据权利要求4所述的生产方法，其中将所述有机金属 化合物的气体和脂族不饱和烃或芳族烃的气体的混合气体用作 在形成所述有机金属气相沉积层的步骤中的反应气体。

13.根据权利要求12所述的生产方法，其中所述反应气体 以不小于50mol%的量包含所述有机金属化合物气体。

14.根据权利要求12所述的生产方法，其中将乙烯和/或乙 炔用作所述脂族不饱和烃。

15.根据权利要求4所述的生产方法，其中将瓶用作所述聚 乳酸基板，所述气相沉积膜至少形成于瓶的内表面。