[发明专利]粘接膜及使用该粘接膜的半导体装置

说明书

技术领域

本发明涉及粘接膜及使用该粘接膜的半导体装置。

背景技术

随着近年来的电子设备的小型化、薄型化，发展成了使用在基板上高密度安装半导体元件的半导体封装。通常，该种半导体封装的生产要经过：用粘接膜接合半导体元件和基板的接合工序；用键合引线将半导体元件和基板电导通的引线键合工序；以及用密封树脂密封半导体元件的密封工序(例如，参照专利文献1：日本特开2003-60127号公报)。

此处，所使用的粘接膜被要求具有接合半导体元件和基板的功能，以及填埋基板的凹凸的功能等。就以往的粘接膜而言，粘接膜通过密封密封树脂的密封工序中的加热和压力软化，从而填埋基板的凹凸。

但是近年来，发展成使用将半导体元件多级层叠高密度安装于基板的半导体封装，为了多级层叠半导体元件，前述引线键合工序的时间就变长。因此，有时粘接膜过于固化而在前述密封工序中不充分软化，不能填埋基板的凹凸。

发明内容

本发明的目的在于提供一种粘接膜及使用该粘接膜的半导体装置，其中，通过前述接合工序中的加热使得粘接膜软化，提高对基板的凹凸的填埋性(初期填埋性)。

为了实现上述目的，下述(1)～(16)记载的本发明为，

(1)一种粘接膜，其为用于将半导体元件和基板或者将半导体元件和半导体元件进行接合的粘接膜，其特征在于，前述粘接膜由含有环氧树脂、丙烯酸系树脂和重均分子量6000以下的丙烯酸系低聚物的树脂组合物构成，并且，前述丙烯酸系树脂的含量Wa和前述丙烯酸系低聚物的含量Wb之比(Wa/Wb)为0.5～4。

(2)根据上述(1)所记载的粘接膜，其中，前述丙烯酸系低聚物的玻璃化转变温度为-30℃以下。

(3)根据上述(1)或(2)所记载的粘接膜，其中，前述丙烯酸系低聚物的含量是前述树脂组合物总量的5～30重量％。

(4)根据上述(1)～(3)中任一项所记载的粘接膜，其中，前述丙烯酸系低聚物具有羧基和缩水甘油基中的至少一种基团。

(5)根据上述(1)～(4)中任一项所记载的粘接膜，其中，前述丙烯酸系低聚物在常温下为液态。

(6)根据上述(1)～(5)中任一项所记载的粘接膜，其中，前述树脂组合物包含固化剂。

(7)根据上述(6)所记载的粘接膜，其中，前述固化剂包含液态酚化合物。

(8)根据上述(1)～(7)中任一项所记载的粘接膜，其中，前述树脂组合物进一步包含固化催化剂。

(9)根据上述(8)所记载的粘接膜，其中，前述固化催化剂包含咪唑化合物。

(10)根据上述(8)或(9)所记载的粘接膜，其中，前述固化催化剂的熔点是150℃以上。

(11)根据上述(1)～(10)中任一项所记载的粘接膜，其中，前述粘接膜在100℃下的熔融粘度是80Pa·s以下。

(12)根据上述(1)～(11)中任一项所记载的粘接膜，其中，所述粘接膜在175℃下热处理2小时后的固化物的175℃下的弹性模量是30MPa以上。

(13)一种粘接膜，其用作半导体装置的粘接层，所述半导体装置是在基板的一个面侧依次层叠第一半导体元件、粘接层和第二半导体元件，在前述第一半导体元件的功能面上形成的端子和基板通过键合引线电连接，前述键合引线的前述端子附近的部位在前述粘接层内通过来形成，其特征在于，前述粘接膜由含有环氧树脂、丙烯酸系树脂和重均分子量6000以下的丙烯酸系低聚物的树脂组合物构成，并且，前述丙烯酸系树脂的含量Wa和前述丙烯酸系低聚物的含量Wb之比(Wa/Wb)为0.5～4。

(14)根据上述(13)所记载的粘接膜，其中，前述第二半导体元件的俯视角度的面积与前述第一半导体元件的俯视角度的面积大致相同。

(15)根据上述(13)所记载的粘接膜，其中，前述第二半导体元件的俯视角度的面积比前述第一半导体元件的俯视角度的面积大。

(16)一种半导体装置，其特征在于，使用上述(1)～(15)中的任一项所记载的粘接膜接合半导体元件和基板或者半导体元件和半导体元件。

附图说明

图1是示意地表示粘接膜的粘接状态的示意图；

图2是制造半导体装置的一个方法的流程图；

图3是示意地表示半导体装置的一个例子的示意图；

图4是示意地表示半导体装置的一个例子的示意图。

具体实施方式

下面，对本发明的粘接膜和半导体装置加以详细说明。