[发明专利]半导体元件的选取方法、半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体元件的选取方法，其特征在于，

包括：

在半导体衬底的有效区域内配设多个半导体元件的工序，

在上述半导体衬底上的上述有效区域外配设基准半导体元件的工序，

在上述多个半导体元件以及上述基准半导体元件上形成凸块的工序，

对上述有效区域内的上述多个半导体元件进行测试的工序，

以上述基准半导体元件为基点，生成配置图的工序，

根据上述配置图，从上述多个半导体元件中摘出在上述测试中被判断为 合格品的半导体元件的工序；

在配设于上述有效区域外的基准半导体元件形成的凸块的数量比在配 设于上述有效区域内的每个半导体元件形成的凸块的数量少。

2.如权利要求1所述的半导体元件的选取方法，其特征在于，

使用图像识别单元来识别在基准半导体元件上形成的凸块的配置位置 和在形成于上述有效区域的半导体元件上形成的凸块的配置位置，并生成以 上述基准半导体元件为基准的上述有效区域内的半导体元件的配置信息。

3.如权利要求2所述的半导体元件的选取方法，其特征在于，

根据上述配置信息和对上述有效区域内的上述多个半导体元件进行测 试而得的测试结果，生成包括合格的半导体元件的配置位置和不合格的半导 体元件的配置位置的上述配置图。

4.如权利要求1所述的半导体元件的选取方法，其特征在于，

在生成上述配置图的工序和摘出被判断为上述合格品的半导体元件的 工序之间包括切割工序，在该切割工序中，对上述半导体衬底进行切割，从 而使上述半导体衬底变成单个的半导体元件。

5.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，

包括：

在半导体衬底的有效区域内配设多个半导体元件的工序，

在上述半导体衬底上的上述有效区域外配设基准半导体元件的工序，

在上述多个半导体元件以及上述基准半导体元件上形成凸块的工序，

对上述有效区域内的上述多个半导体元件进行测试的工序，

以上述基准半导体元件为基点，生成配置图的工序，

根据上述配置图，从上述多个半导体元件中摘出在上述测试中被判断为 合格品的半导体元件的工序，

将被摘出的上述半导体元件安装到支撑衬底的工序；

在配设于上述有效区域外的基准半导体元件形成的凸块的数量比在配 设于上述有效区域内的每个半导体元件形成的凸块的数量少。

6.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

使用图像识别单元来识别在基准半导体元件上形成的凸块的配置位置 和在形成于上述有效区域的半导体元件上形成的凸块的配置位置，并生成以 上述基准半导体元件为基准的上述有效区域内的半导体元件的配置信息。

7.如权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

根据上述配置信息和对上述有效区域内的上述多个半导体元件进行测 试而得的测试结果，生成包括合格的半导体元件的配置位置和不合格的半导 体元件的配置位置的上述配置图。

8.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

在生成上述配置图的工序和摘出被判断为上述合格品的半导体元件的 工序之间包括切割工序，在该切割工序中，对上述半导体衬底进行切割，从 而使上述半导体衬底变成单个的半导体元件。

9.一种半导体器件，其特征在于，

包括多个半导体元件区域和多个有效区域外半导体元件区域，

上述多个半导体元件区域形成在半导体衬底上的有效区域内，

上述多个有效区域外半导体元件区域形成在包围上述半导体衬底上的 上述有效区域的有效区域外，

在形成于上述半导体衬底上的有效区域内的上述多个半导体元件区域， 分别形成有被配置成格子状的多个第一突起电极，

在上述多个有效区域外半导体元件区域，分别形成有第二突起电极，

上述第二突起电极的数量比上述第一突起电极的数量少。