[发明专利]电光设备及其制备方法无效
| 申请号： | 200780100177.7 | 申请日： | 2007-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN101842736A | 公开（公告）日： | 2010-09-22 |
| 发明（设计）人： | 郭强·帕特里克·罗;齐逊·达里尔·王;纬·伊普·洛;于明彬;宋军峰 | 申请（专利权）人： | 新加坡科技研究局 |
| 主分类号： | G02F1/025 | 分类号： | G02F1/025 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 谢顺星 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电光 设备 及其 制备 方法 | ||
1.一种电光设备，包括：
绝缘层；
沉积于所述绝缘层上方并掺杂有第一传导类型掺杂原子的第一半导体区；
沉积于所述绝缘层上方并掺杂有第二传导类型掺杂原子的第二半导体区；
沉积于所述绝缘层上方且位于所述第一半导体区和所述第二半导体区之间的电光作用区，所述电光作用区包括：
掺杂有所述第一传导类型掺杂原子的第一半导体部分作用区；
掺杂有所述第二传导类型掺杂原子的第二半导体部分作用区；
位于所述第一半导体部分作用区和所述第二半导体部分作用区之间的绝缘结构，其中，所述绝缘结构垂直于所述绝缘层的表面延伸，使得所述第一半导体部分作用区和所述第二半导体部分作用区在垂直于所述绝缘层表面的方向上不存在重叠。
2.一种电光设备，包括：
绝缘层；
沉积于所述绝缘层上方并掺杂有第一传导类型掺杂原子的第一半导体区；
沉积于所述绝缘层上方并掺杂有第二传导类型掺杂原子的第二半导体区；
沉积于所述绝缘层上方且位于所述第一半导体区和所述第二半导体区之间的电光作用区，所述电光作用区包括：
掺杂有所述第一传导类型掺杂原子的第一半导体部分作用区；
掺杂有所述第二传导类型掺杂原子的第二半导体部分作用区；
位于所述第一半导体部分作用区和所述第二半导体部分作用区之间的绝缘结构，其中，所述绝缘结构自所述绝缘层的表面经过所述电光作用区延伸至所述电光作用区的顶部。
3.如权利要求1或2所述的电光设备，
其中，所述绝缘层为氧化物层。
4.如权利要求3所述的电光设备，
其中，所述氧化物层为二氧化硅层。
5.如权利要求3所述的电光设备，
其中，所述氧化物层为隐埋氧化物层。
6.如权利要求1或2所述的电光设备，
其中，所述第一半导体区由硅制成。
7.如权利要求1或2所述的电光设备，
其中，所述第二半导体区由多晶硅制成。
8.如权利要求1或2所述的电光设备，
其中，所述第一传导类型为p传导类型。
9.如权利要求1或2所述的电光设备，
其中，所述第二传导类型为n传导类型。
10.如权利要求1或2所述的电光设备，
其中，所述电光作用区具有肋状物，其相对于所述绝缘层的表面具有高于所述第一半导体区和所述第二半导体区的高度。
11.如权利要求1或2所述的电光设备，
其中，所述第一半导体部分作用区与所述第一半导体区电接触。
12.如权利要求1或2所述的电光设备，
其中，所述第二半导体部分作用区与所述第二半导体区电接触。
13.如权利要求1或2所述的电光设备，
其中，所述第一半导体部分作用区由硅制成。
14.如权利要求1或2所述的电光设备，
其中，所述第二半导体部分作用区由多晶硅制成。
15.如权利要求1或2所述的电光设备，
其中，所述绝缘结构在从所述第一半导体部分作用区至所述第二半导体部分作用区的方向上具有2nm左右至50nm左右范围内的厚度。
16.如权利要求15所述的电光设备，
其中，所述绝缘结构在从所述第一半导体部分作用区至所述第二半导体部分作用区的方向上具有5nm左右至30nm左右范围内的厚度。
17.如权利要求1或2所述的电光设备，
其中，所述第一半导体部分作用区包括第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区具有与所述第二掺杂区大致相同的掺杂浓度。
18.如权利要求1或2所述的电光设备，
其中，所述第二半导体部分作用区包括第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区具有与所述第二掺杂区大致相同的掺杂浓度。
19.如权利要求1或2所述的电光设备，
其中，所述第一半导体部分作用区包括第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区的掺杂浓度低于所述第二掺杂区的掺杂浓度。
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