[发明专利]具有颜色转换结构的半导体发光器件

权利要求书

1.一种半导体发光器件，该器件包括：

衬底；

由所述衬底支撑的半导体多层结构；

其中所述半导体多层结构配置成发射第一颜色光；以及

其中所述衬底或在所述衬底与所述多层结构之间的层基本不透明，因此有利于由所述多层结构发射出的光的吸收或反射；以及

在所述半导体多层结构上形成的平坦的颜色转换层；

其中所述颜色转换层包括可将至少一部分发射光转换成第二颜色光的颜色转换材料；

其中所述颜色转换层具有一定厚度；以及

其中所述颜色转换层可被充分固化以承受后续的晶片切割。

2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于所述衬底包括下列材料中的一种或若干种：硅(Si)；蓝宝石；碳化硅(SiC)；锗(Ge)；砷化镓(GaAs)；以及金属。

3.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于所述衬底对所述第一颜色光的透光率小于或等于30％。

4.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于在所述衬底与所述多层结构之间的所述层是光反射层。

5.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于所述颜色转换层包括用于均匀分散所述颜色转换材料的分散介质。

6.根据权利要求5所述的半导体发光器件，其特征在于分散介质包括下列材料中的一种或若干种：聚酰亚胺基材料，硅胶基材料及环氧树脂基材料。

7.根据权利要求6所述的半导体发光器件，其特征在于所述分散介质是聚酰亚胺。

8.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于所述颜色转换材料包括荧光粉。

9.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于所述颜色转换层包括聚酰亚胺基分散介质和荧光剂组成的混合物。

10.根据权利要求1所述的半导体发光器件，该器件进一步包括在所述半导体多层结构上形成的至少一个电极，其特征在于所述电极表面的至少一部分未被所述颜色转换层覆盖。

11.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于所述半导体多层结构包括In_xGa_yAl_1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1)-基材料。

12.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于被转换的光和未被转换的光混合产生实质上的白光。

13.一种制造半导体发光器件的方法，该方法包括：

选取衬底；

形成由所述衬底支撑的半导体多层结构；

其中所述半导体多层结构配置成发射第一颜色光；以及

其中所述衬底或在该衬底与该多层结构之间的层基本不透明，因此有利于所述多层结构发射出的光的吸收或反射；

用包括能将一部分发射光转换成第二颜色光的颜色转换材料均匀涂覆所述半导体多层结构形成平坦的颜色转换层；

其中所述颜色转换层可被充分固化以承受后续的晶片切割；以及

其中所述颜色转换层具有一定厚度；以及

切割包括衬底的晶片，以获得半导体发光器件。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于所述方法进一步包括在切割所述晶片之前固化所述颜色转换层，使所述颜色转换层充分变硬以承受后续的晶片切割。

15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于在固化所述颜色转换层之前，所述方法进一步包括：

预固化所述颜色转换层；

图形化所述已预固化的所述颜色转换层以暴露所述半导体多层结构；以及

在所述暴露的半导体多层结构上形成一个或若干个电极，其中至少一部分所述电极表面未被所述颜色转换层覆盖。

16.根据权利要求13所述的方法，其特征在于所述颜色转换层包括聚酰亚胺基分散介质与荧光材料组成的混合物。

17.根据权利要求13所述的方法，其特征在于所述衬底与所述多层结构之间的所述层是光反射层。

18.根据权利要求13所述的方法，其特征在于所述衬底包括下列材料中一种或若干种：硅(Si)；蓝宝石；碳化硅(SiC)；锗(Ge)；砷化镓(GaAs)；以及金属。