[发明专利]电压可变型薄膜沉积方法及其设备

权利要求书

1.一种电压可变型薄膜沉积方法，包括：

施加偏压，将薄膜材料引导至目标物体，以使得所述薄膜材料被沉积在所述目标物体上，同时在用户所设置的时间段内连续改变所述偏压的大小。

2.如权利要求1所述的电压可变型薄膜沉积方法，其中，在所述用户所设置的时间段内，所述偏压的大小至少增加或减小一次。

3.如权利要求2所述的电压可变型薄膜沉积方法，其中，在所述用户所设置的时间段内，所述偏压的大小至少增加并随后减小或者减小并随后增加一次。

4.如权利要求1至3中任一项所述的电压可变型薄膜沉积方法，其中，将所述偏压施加至物理气相沉积(PVD)型薄膜沉积装置、化学气相沉积(CVD)型薄膜沉积装置，以及PVD/CVD混合型薄膜沉积装置中的任一个。

5.如权利要求1至3中任一项所述的电压可变型薄膜沉积方法，其中，所述偏压是直流(DC)偏压和脉冲型偏压中的任一个，并且由所述偏压引导并沉积的所述薄膜材料是一种或更多种类型的材料。

6.如权利要求1所述的电压可变型薄膜沉积方法，其中，所述偏压的变化范围从每分钟0.5V或更高至10V或更低。

7.如权利要求1所述的电压可变型薄膜沉积方法，其中，改变所述偏压，以使得偏压的最大值和最小值之间的差是50V或更高。

8.如权利要求1所述的电压可变型薄膜沉积方法，其中，所述偏压的最大值的范围从100V或更高到250V或更低。

9.如权利要求1所述的电压可变型薄膜沉积方法，其中，所述偏压的最小值的范围从30V或更高到80V或更低。

10.如权利要求1所述的电压可变型薄膜沉积方法，其中，通过施加电压，所述偏压从低电压变化至高电压或从高电压变化至低电压。

11.如权利要求1所述的电压可变型薄膜沉积方法，包括：

确定步骤，确定是否使用预设的偏压值；

作为确定的结果，如果确定使用所述预设的偏压值，基于所述预设的偏压值沉积薄膜，并且如果确定使用新的偏压值，设置新的偏压值的步骤；

起始电压选择步骤，当设置了新的偏压值时，选择是从低偏压还是从高偏压施加电压；

电压斜率选择步骤，当选择了所述起始电压时，选择所述偏压的增加/减小斜率类型；以及

沉积开始步骤，当选择了所述电压斜率时，开始沉积所述薄膜。

12.一种电压变化型薄膜沉积装置，包括：

电压供应单元，用于输出偏压，将薄膜材料引导至目标物体，以使得所述薄膜材料被沉积在所述目标物体上；以及

控制单元，用于控制所述电压供应单元，以使得输出的所述偏压的大小在用户所设置的时间段内连续变化。

13.如权利要求12所述的电压变化型薄膜沉积装置，其中，所述控制单元至少增加或减小所述偏压的大小一次。

14.如权利要求13所述的电压变化型薄膜沉积装置，其中，所述控制单元至少增加并随后减小所述偏压的大小，或者减小并随后增加所述偏压的大小一次。

15.如权利要求12-14中任一项所述的电压变化型薄膜沉积装置，其中，所述供电单元是包含于物理气相沉积(PVD)型薄膜沉积装置、化学气相沉积(CVD)型薄膜沉积装置以及PVD/CVD混合型薄膜沉积装置中的任一个之内的供电单元。

16.如权利要求12-14中任一项所述的电压变化型薄膜沉积装置，其中，所述偏压是直流(DC)偏压和脉冲型偏压中的任一个，并且由所述偏压引导并沉积的所述薄膜材料是一种或更多种类型的材料。

17.如权利要求12所述的电压变化型薄膜沉积装置，其中，所述控制单元能够引起所述偏压从每分钟0.5V或更高至10V或更低的范围的变化。

18.如权利要求12所述的电压变化型薄膜沉积装置，其中，所述控制单元能够改变所述偏压，以使得所述偏压的最大值和最小值之间的差是50V或更高。

19.如权利要求12所述的电压变化型薄膜沉积装置，其中，所述控制单元执行控制，以使得所述偏压的最大值的范围从100V或更高到250V或更低。