[发明专利]MRAM测试无效
申请号: | 200780101320.4 | 申请日: | 2007-11-01 |
公开(公告)号: | CN101842843A | 公开(公告)日: | 2010-09-22 |
发明(设计)人: | 赛义德·M·阿拉姆;马蒂厄·布雷兹-温宁;约瑟夫·J·纳哈斯;肯尼斯·P·帕普沃思;马克·德埃烈亚;贾森·雅内斯基 | 申请(专利权)人: | 飞思卡尔半导体公司 |
主分类号: | G11C11/00 | 分类号: | G11C11/00;G11C29/00 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 穆德骏;陆锦华 |
地址: | 美国得*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | mram 测试 | ||
1.一种用于测试具有多个单元的跳变MRAM的方法,所述方法包括:
在所述多个单元中选择要测试的单元;
将第一状态写入所述单元;
读取所述单元,以验证所述第一状态;
根据邻居的预定序列来连续跳变所述单元的第一邻居的状态和所述单元的第二邻居的状态,其中所述单元的第一邻居与所述单元相邻并且所述单元的第二邻居与所述单元相邻,并且其中所述邻居的预定序列指示连续跳变所述第一邻居的状态和所述第二邻居的状态的次序;
在连续跳变的步骤之后,读取所述单元,以确定是否出现从所述第一状态到所述第二状态的改变。
2.根据权利要求1所述的方法,其中
没有响应于读取所述第一邻居来执行所述第一邻居的状态的跳变,以及
没有响应于读取所述第二邻居来执行所述第二邻居的状态的跳变。
3.根据权利要求1所述的方法,其中
在所述第一邻居的状态发生跳变之前,没有立即执行读取所述第一邻居,以及
在所述第二邻居的状态发生跳变之前,没有立即执行读取所述第二邻居。
4.根据权利要求1所述的方法,还包括:
从配置存储电路中得到邻居的所述预定序列。
5.根据权利要求4所述的方法,其中
所述配置存储电路还指示邻居的所述预定序列中的最后的邻居。
6.根据权利要求4所述的方法,其中
所述配置存储电路包括重复指示符,所述重复指示符用于确定重复邻居的所述预定序列的次数,其中,在读取所述单元以确定是否出现从所述第一状态到所述第二状态的改变之前,根据邻居的所述预定序列将所述第一邻居和所述第二邻居的连续跳变重复使用所述重复指示符确定的次数。
7.根据权利要求1所述的方法,其中
所述第一邻居沿着与所述单元相同的位线,以及
所述第二邻居沿着与所述单元相同的字线。
8.根据权利要求1所述的方法,其中
邻居的所述预定序列指示所述第一邻居跟随在所述第二邻居之后,以及
其中执行所述单元的所述第一邻居的状态和所述单元的所述第二邻居的状态的连续跳变,使得在所述第一邻居的状态发生跳变之前,所述第二邻居的状态发生跳变。
9.一种数据处理系统,包括:
MRAM阵列,所述MRAM阵列包括多个单元;
MRAM控制器,所述MRAM控制器耦合到所述MRAM阵列;以及
测试逻辑,所述测试逻辑耦合到所述MRAM控制器,所述测试逻辑包括配置存储电路,所述配置存储电路存储至少两个邻居位置的预定序列,其中,对于正被测试的所述多个单元中的每个单元,如所述预定序列中的至少两个邻居位置所指示,测试逻辑连续跳变正被测试的单元的邻居的状态。
10.根据权利要求9所述的数据处理系统,其中
所述MRAM阵列、所述MRAM控制器和所述测试逻辑位于单个集成电路上。
11.根据权利要求9所述的数据处理系统,其中
所述配置存储电路存储用以指示所述预定序列的末尾的最后的邻居指示符。
12.根据权利要求9所述的数据处理系统,其中
所述配置存储电路存储重复指示符,所述重复指示符指示测试逻辑连续跳变由所述预定序列所指示的正被测试的所述单元的至少两个邻居的序列的次数。
13.根据权利要求9所述的数据处理系统,其中
没有响应于读取被跳变的邻居来执行所述跳变。
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