[发明专利]制造经处理表面的方法和真空等离子体源

权利要求书

1.制造经处理表面的方法，包括

·提供在真空容器内的加工空间、在其中的具有金属阳极表面的阳极和阴极，所述金属具有第一DC比阻抗；

·在所述加工空间中建立处于所需压力或处于所需分压的气体或气体混合物的气氛；

·通过在所述阳极与所述阴极之间施加包含DC分量的供电信号，在所述加工空间中产生等离子体放电；

·借助于所述等离子体放电处理表面，由此在所述加工空间中产生具有第二DC比电阻抗的固体，所述第二DC比电阻抗高于所述第一DC比阻抗；

其特征在于，通过在所述阳极表面的至少一个区域上产生明确的屏蔽等离子体使所述至少一个区域屏蔽所述固体，所述明确的屏蔽等离子体的范围基本上限于所述至少一个区域。

2.根据权利要求1所述的方法，包括通过以下方式产生所述屏蔽等离子体：把要被屏蔽的所述区域定制为凹槽的表面区域，所述凹槽具有暴露于所述加工空间的开口，并且通过相应地设定所述凹槽的尺寸而只在所述凹槽中产生所述明确的屏蔽等离子体。

3.根据权利要求1所述的方法，包括通过以下方式产生所述屏蔽等离子体：把要被屏蔽的所述区域定制为凹槽的表面区域，所述凹槽具有暴露于所述加工空间的开口，并且通过在所述凹槽中建立磁场而在所述凹槽中产生所述明确的屏蔽等离子体。

4.根据权利要求1所述的方法，包括通过以下方式产生所述屏蔽等离子体：把要被屏蔽的所述区域定制为凹槽的表面区域，所述凹槽具有暴露于所述加工空间的开口，并且通过经由所述凹槽将至少一部分所述气体或所述气体混合物引进所述的加工空间而在所述凹槽中产生所述明确的屏蔽等离子体。

5.根据权利要求1所述的方法，包括通过以下方式产生所述屏蔽等离子体：经由在所述阳极表面中的至少一个进口将至少一部分所述气体或所述气体混合物注入到所述加工空间之内，所述明确的屏蔽等离子体包括邻近和围绕所述阳极表面上的所述至少一个进口的等离子体。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，进一步包括至少基本上通过要被屏蔽的所述至少一个区域建立所述阳极表面。

7.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，进一步包括向所述阳极表面提供邻近要被屏蔽的所述至少一个区域的扩展区域，从而灵活地进行其间不产生所述固体的表面处理。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，进一步包括提供超过一个所述要被屏蔽的区域，并且对所述要被屏蔽的超过一个的区域的一部分选择性地建立所述明确的屏蔽等离子体。

9.根据权利要求8所述的方法，进一步包括根据限定所述表面的主导加工的参数组自动地进行所述选择。

10.根据权利要求2、3、不从属于权利要求4或5的权利要求6至9中的任一项所述的方法，包括使至少一部分所述气体或气体混合物经由所述至少一个凹槽中的至少一个流入到所述加工空间中。

11.根据权利要求2至4、6至10中的任一项所述的方法，进一步包括使至少一部分所述气体或气体混合物流入到所述凹槽中，并从所述凹槽经由压力级流入到所述加工空间中。

12.根据权利要求1至11中的任一项所述的方法，包括通过至多200V的供电电压维持所述等离子体放电。

13.根据权利要求12所述的方法，所述电压选为至多100V。

14.根据权利要求1至13中的任一项所述的方法，其中所述表面的所述处理包括涂覆。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述表面的所述处理包括用包含以下物质中的至少一种的材料进行涂覆：金属的氮化物、硼化物、碳化物、氧化物，或它们的混合物。

16.根据权利要求15所述的方法，其中所述金属包括铝或由铝构成。

17.根据权利要求1至16中的任一项所述的方法，进一步包括把所述等离子体放电建立为阴极电弧放电和利用热丝阴极的辉光放电中的一种。

18.根据权利要求1至17中的任一项所述的方法，包括通过流经所述阳极中的冷却介质通道系统的冷却介质来冷却所述阳极。

19.真空等离子体源，具有包括阴极和阳极的等离子体放电源，该阳极包括阳极表面和在所述阳极表面中的至少两个凹槽。