[发明专利]图像传感器阵列,增强的图像传感器阵列,电子轰击图像传感器阵列装置以及用于这些图像传感器阵列的像素传感器元件无效

专利信息
申请号: 200780102042.4 申请日: 2007-12-21
公开(公告)号: CN101904165A 公开(公告)日: 2010-12-01
发明(设计)人: 阿尔然·威廉·德赫罗特;阿尔贝特·扬·霍夫 申请(专利权)人: 福通尼斯荷兰公司
主分类号: H04N3/15 分类号: H04N3/15
代理公司: 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 代理人: 孙皓晨
地址: 荷兰*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要:
搜索关键词: 图像传感器 阵列 增强 电子 轰击 装置 以及 用于 这些 像素 传感器 元件
【权利要求书】:

1.一种图像传感器阵列,具有沿所述图像传感器的表面区域的多个像素传感器元件,该多个像素传感器元件以组合方式排布,并以特定的视频帧速率输出对应于图像的后续视频帧,其特征在于,所述多个像素传感器元件排布为用于生成一个或多个视频帧分段,所述分段每个具有一作为等同于视频帧速率的时间的一小部分的时间区间,并由多个所述的视频帧分段构成单独的视频帧。

2.根据权利要求1所述的图像传感器阵列,其特征在于,所述视频帧分段的时间区间由一施加到所述图像传感器阵列的所有或部分像素传感器的外部控制信号决定。

3.根据权利要求2所述的图像传感器阵列,其特征在于,所述控制信号是与成像在所述图像传感器阵列上的外部事件同步地施加到该图像传感器阵列。

4.根据权利要求3所述的图像传感器阵列,其特征在于,所述外部事件具有包含于作为所述图像传感器阵列的视频帧速率的一部分的时间区间内的特有的图像信息。

5.根据上述一项或多项权利要求所述的图像传感器阵列,其特征在于,所述图像传感器阵列是用光学手段耦合于一像增强器装置的输出面,用于放大成像到所述图像传感器阵列的外部事件。

6.一种电子轰击图像传感器阵列装置,包括一具有光电阴极的真空室,光电阴极能够在当暴露于从图像照到该光电阴极的光照中时,释放电子进入所述真空室,用于将所述从光电阴极释放的电子向阳极加速的电场装置,该阳极与所述光电阴极以对面的关系间隔设置用以接收来自所述光电阴极的电子图像,如此,在使用所述加速了的电子撞击在所述阳极上时会在接近所述阳极的表面处生成多个电子-空穴对,其中所述阳极构建为一如权利要求1-5中一项或多项所述的图像传感器阵列。

7.一种像素传感器元件,用于权利要求1-5中一项或多项所述的图像传感器阵列,所述像素传感器元件包括一感光元件,其能够生成和输出依赖于照射到所述感光元件上的光的电信号;或包括一电荷采集元件,其能采集任何在该像素传感器边界之内生成的电子电荷,还包括至少一个存储元件以用来保存像素传感器元件中的信号,以及

第一晶体管,第二晶体管,第三晶体管,第四晶体管,第五晶体管和第六晶体管,其中

第一晶体管的第一触点可操作地连接到电源电压,第二触点可操作地连接到所述感光元件或所述电荷采集元件的一个触点;

第二晶体管的第一触点可操作地连接到第三晶体管的第一触点,第二触点同时可操作地连接到第四晶体管和所述存储元件的第一触点;

第三晶体管的第一触点连接到电源电压,第二触点连接到第二晶体管的第一触点,栅极节点连接到所述感光元件或所述电荷采集元件的第一触点

第四晶体管的第一触点可操作地连接到第二晶体管的第二触点,第二触点可操作地连接到像素传感器元件的一个触点;

所述至少一个存储元件的第一触点可操作地连接到第二晶体管元件的第二触点和第四晶体管的第一触点;

第五晶体管的栅极节点可操作地连接到存储元件的第一触点,第一触点可操作地连接到第六晶体管的第一触点,第二触点可操作地连接电源电压;

第六晶体管的第一触点可操作地连接到第五晶体管的第一触点,第二触点可操作地连接到所述感光元件或所述电荷采集元件的第一触点。

8.根据权利要求7所述的像素传感器元件,其特征在于,第一、第二和第六晶体管的栅极节点每个都分别连接到一复位电路单独的触点以独立地操纵每个所述晶体管,且第四晶体管的栅极节点连接到图像传感器阵列的读取电路。

9.根据权利要求7或8任意一项所述的像素传感器元件,其特征在于,该存储元件包括至少一个电容。

10.根据权利要求9所述的像素传感器元件,其特征在于,该存储元件包括一MOS电容。

11.根据权利要求9所述的像素传感器元件,其特征在于,该存储元件包括一MIM电容。

12.根据权利要求9-11任意一项所述的像素传感器元件,其特征在于,该存储元件包括一光遮蔽层。

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