[发明专利]像素结构、显示面板、光电装置及其制造方法

权利要求书

1.一种像素结构，配置于一基板上，其特征在于，该像素结构包括：

一薄膜晶体管，具有一源/漏极，并配置于该基板上；

一下电容电极，配置于该基板上；

一介电层，配置于该下电容电极上；

一上电容电极，包括；

一半导体层，配置于该下电容电极上方的该介电层上；

一阻障层，配置于该半导体层上；

一金属层，配置于该阻障层上，且其材质包含铜、铜合金或上述的组合；

一保护层，覆盖该薄膜晶体管与该上电容电极，该保护层具有一暴露出该漏极的第一开口；以及

一像素电极，该像素电极通过该第一开口与该薄膜晶体管电性连接。

2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该薄膜晶体管包括一栅极、一栅绝缘层、一通道层、一源极以及该漏极，该源极与该漏极的材料与该上电容电极的材料相同。

3.根据权利要求2所述的像素结构，其特征在于，该薄膜晶体管还包括一蚀刻终止层，配置于该信道层上方。

4.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该保护层还具有一暴露出该上电容电极的第二开口，该像素电极通过该第二开口与该上电容电极电性连接。

5.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该阻障层的材质包含氧化铜，该氧化铜的组成包括含有钼、钕、锆、钛、镁、镍、铪、钨、钽、钒、锡、锰元素或上述的组合。

6.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该阻障层的材质包含氧化铜，该氧化铜中的氧浓度约介于3％至30％之间。

7.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该金属层的组成包括含有钼、钕、锆、钛、镁、镍、铪、钨、钽、钒、锡或锰等元素的铜合金。

8.一种像素结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供一基板；

形成一栅极以及一下电容电极于该基板上；

形成一介电层于该基板上，以覆盖该栅极以及该下电容电极；

形成一半导体层于该介电层上；

图案化该半导体层，以于该栅极上方的介电层上形成一通道层，且于该下电容电极上方的介电层上形成一图案化半导体层；

依序形成一阻障层以及一导电层于该通道层、该介电层以及该图案化半导体层上，且该导电层的材质包含铜及其合金；

图案化该阻障层以及该导电层，以于该栅极两侧的该通道层上形成一源极与一漏极，且于该图案化半导体层上形成一含铜迭层，该栅极、该通道层、该源极以及该漏极构成一薄膜晶体管，该图案化半导体层与该含铜迭层形成一上电容电极；

形成一保护层于该薄膜晶体管与该上电容电极上，该保护层具有一暴露出该漏极的第一开口；以及

形成一像素电极，该像素电极通过该第一开口与该薄膜晶体管电性连接。

9.根据权利要求8所述的像素结构的制作方法，其特征在于，该保护层还包括一暴露出该上电容电极的第二开口，该像素电极通过该第二开口与该上电容电极电性连接。

10.根据权利要求8所述的像素结构的制作方法，其特征在于，还包括于形成该阻障层之前，形成一蚀刻终止层于该通道层上。

11.一种像素结构，配置于一基板上，其特征在于，该像素结构包括：

一薄膜晶体管，具有一栅极、一介电层、一半导体层及一源/漏极，并依序配置于该基板上，以使得该源/漏极位于部分该半导体层上，该源/漏极具有一阻障层以及一金属层，该阻障层配置于部分该半导体层上，该金属层配置于该阻障层上，且该阻障层接触于该半导体层以及该金属层，该阻障层的材质包含铜、铜合金或上述的组合；

一保护层，覆盖该薄膜晶体管与该介电层上，该保护层具有一暴露出该漏极的第一开口；以及

一像素电极，配置该保护层上，且该像素电极通过该第一开口与该薄膜晶体管电性连接。

12.根据权利要求11所述的像素结构，其特征在于，该阻障层的材质包含氧化铜，该氧化铜的组成包括含有钼、钕、锆、钛、镁、镍、铪、钨、钽、钒、锡、锰元素或上述的组合。

13.根据权利要求11所述的像素结构，其特征在于，该阻障层的材质包含氧化铜，该氧化铜中的氧浓度约介于3％至30％之间。