[发明专利]具高效率侧向发光效果的发光二极管芯片封装方法及结构有效
申请号: | 200810000084.3 | 申请日: | 2008-01-03 |
公开(公告)号: | CN101477954A | 公开(公告)日: | 2009-07-08 |
发明(设计)人: | 汪秉龙;巫世裕;吴文逵 | 申请(专利权)人: | 宏齐科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L25/00;H01L25/075;H01L23/31 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 梁 挥;祁建国 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高效率 侧向 发光 效果 发光二极管 芯片 封装 方法 结构 | ||
技术领域
本发明涉及一种发光二极管芯片的封装方法及其封装结构,尤其涉及一种 具有高效率侧向发光效果(high-efficiency lateral light-emitting effect)的发光 二极管芯片的封装方法及其封装结构。
背景技术
请参阅图1所示,其为现有发光二极管的封装方法的流程图。由流程图中 可知,现有发光二极管的封装方法,其步骤包括:首先,提供数个封装完成的 发光二极管(packaged LED)(S800);接着,提供一条状基板本体(stripped substrate body),其上具有一正极导电轨迹(positive electrode trace)与一负极 导电轨迹(negative electrode trace)(S802);最后,依序将每一个封装完成 的发光二极管(packaged LED)设置在该条状基板本体上,并将每一个封装完 成的发光二极管(packaged LED)的正、负极端分别电性连接于该条状基板本 体的正、负极导电轨迹(S804)。
然而,关于上述现有发光二极管的封装方法,由于每一颗封装完成的发光 二极管(packaged LED)必须先从一整块发光二极管封装切割下来,然后再以 表面黏着技术(SMT)制程,将每一颗封装完成的发光二极管(packaged LED) 设置于该条状基板本体上,因此无法有效缩短其制程时间,再者,发光时,该 等封装完成的发光二极管(packaged LED)的间会有暗带(dark band)现象存 在,对于使用者视线仍然产生不佳效果。
请参阅图2所示,其为现有发光二极管应用于侧向发光的示意图。由图中 可知,当现有的发光二极管芯片D应用于侧向发光时(例如:使用于笔记型计 算机屏幕的导光板M的侧向光源),由于笔记型计算机屏幕的导光板M非常薄 的关系,该发光二极管芯片D的基座S1的长度l1则必须相对的缩短。换言 之,由于该基座S1的长度l1太短的关系,现有的发光二极管芯片D将无法 得到有效的散热效果,进而产生发光二极管芯片D因过热而烧坏的情形。
是以,由上可知,目前现有的发光二极管的封装方法及封装结构,显然具 有不便与缺失存在,而待加以改善者。
发明内容
本发明所要解决的技术问题,在于提供一种具有高效率侧向发光效果 (high-efficiency lateral light-emitting effect)的发光二极管芯片的封装方法及 其封装结构。本发明的发光二极管结构于发光时,形成一连续的发光区域,而 无暗带(dark band)及光衰减(decay)的情况发生,并且本发明通过芯片直 接封装(Chip On Board,COB)制程并利用压模(die mold)的方式,以使得 本发明可有效地缩短其制程时间,而能进行大量生产。再者,本发明的结构设 计更适用于各种光源,诸如背光模块、装饰灯条、照明用灯、或是扫描仪光源 等应用,皆为本发明所应用的范围与产品。
另外,本发明的封装胶体通过特殊模具的压模过程,以使得本发明的发光 二极管芯片封装结构于直立的情况下,即可产生侧向发光的效果,因此本发明 不会有散热不足的情况发生。换言之,本发明不仅可产生侧向投光的功能,更 能顾到应用于薄型壳体内的散热效果。
为了解决上述技术问题,根据本发明的其中一种方案,提供一种具有高效 率侧向发光效果(high-efficiency lateral light-emitting effect)的发光二极管芯 片的封装方法,其包括下列步骤:首先,提供一基板单元;接着,通过矩阵 (matrix)的方式,分别电性连接地设置数个发光二极管芯片于该基板单元上, 以形成数排横向发光二极管芯片排;然后,通过一第一模具单元,将一封装胶 体纵向地覆盖在所有横向发光二极管芯片排上,其中该封装胶体的上表面具有 数个相对应该等横向发光二极管芯片排的胶体弧面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造