[发明专利]制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在半导体衬底上形成栅极层图案；

在包括所述栅极层图案的所述半导体衬底上形成光刻胶图案；

在所述光刻胶图案上形成钝化膜，所述钝化膜具有比所述半导体衬底慢的蚀刻速率；

使用所述钝化膜和所述光刻胶图案作为蚀刻掩模，利用蚀刻工艺在所述半导体衬底中形成第一沟槽；和

在所述第一沟槽中实施离子注入工艺。

2.如权利要求1的方法，其中所述栅极层图案包括栅极绝缘层图案和栅电极层图案。

3.如权利要求2的方法，其中所述栅电极层图案形成在所述半导体衬底的周边区域中。

4.如权利要求3的方法，其中所述栅电极层图案选自多晶硅、氮化物和其组合。

5.如权利要求3的方法，还包括：

通过蚀刻所述栅电极层图案之间的所述半导体衬底的至少一部分形成第二沟槽；

利用光刻胶膜填隙所述第二沟槽，以覆盖整个所述栅电极层图案；

在所述光刻胶膜内形成区域；和

在所述光刻胶膜的表面上形成所述钝化膜。

6.如权利要求4的方法，其中通过进行硅烷化处理形成所述钝化膜。

7.如权利要求5的方法，其中通过将所述光刻胶图案的一部分改性为SiO₂膜来形成所述钝化膜。

8.如权利要求7的方法，其中通过改变约50～1000埃的所述光刻胶图案的厚度来形成所述SiO₂膜。

9.如权利要求1的方法，其中所述第一沟槽具有500～10000埃的深度。

10.如权利要求1的方法，其中利用场终止离子注入工艺来实施所述离子注入工艺。

11.如权利要求5的方法，其中所述第二沟槽的宽度比所述第一沟槽的宽度宽。

12.如权利要求11的方法，其中所述第二沟槽的深度比所述第一沟槽的深度浅。

13.权利要求11的方法，其中所述第一沟槽具有约500～10000埃的深度。

14.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在半导体衬底上形成栅极绝缘层图案和栅电极层图案；

在包括所述栅电极层图案的半导体衬底上形成光刻胶图案；

在所述光刻胶图案上形成钝化膜，所述钝化膜具有比所述半导体衬底慢的蚀刻速率；

使用所述钝化膜和所述光刻胶图案作为蚀刻掩模，利用蚀刻工艺在所述半导体衬底中形成第一沟槽；和

在其中形成有所述第一沟槽的半导体衬底上实施离子注入工艺。

15.如权利要求14的方法，还包括通过在形成所述光刻胶图案之前蚀刻在所述栅电极层图案之间的半导体衬底来形成第二沟槽，其中所述第一沟槽的宽度比所述第二沟槽的宽度宽，而且所述第一沟槽的深度比所述第二沟槽的深度浅。

16.如权利要求14的方法，其中所述栅电极层图案选自多晶硅层、氮化物层、和所述多晶硅层与所述氮化物层的组合。

17.如权利要求14的方法，其中通过在所述光刻胶膜表面上进行硅烷化处理形成所述钝化膜，通过使得包括双官能的低聚的含有氨基硅氧烷的试剂与所述刻胶膜反应，进行所述硅烷化处理。

18.如权利要求17的方法，其中所述试剂是硅基聚合物或碳基试剂。

19.如权利要求17的方法，其中通过将所述光刻胶图案的一部分改性为SiO₂膜形成所述钝化膜，通过改变约50～1000埃的所述光刻胶图案的厚度来形成所述SiO₂膜。

20.权利要求15的方法，其中所述第二沟槽具有约500～10000埃的深度。

21.如权利要求14的方法，其中可以利用场终止离子注入工艺来实施所述离子注入工艺。