[发明专利]发光二极管及其制造方法无效
| 申请号： | 200810000349.X | 申请日： | 2004-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN101241965A | 公开（公告）日： | 2008-08-13 |
| 发明（设计）人： | 浅井诚;山崎史郎;小泽隆弘;生川满久 | 申请（专利权）人： | 丰田合成株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 雒运朴;李伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种电极形成方法，是在已被研磨加工的由导电性III族氮化物系化合物半导体构成的半导体基片的被研磨面上形成电极的方法，该方法的特征在于：
前述半导体基片由n型的AlxGa1-xN构成，其中，0≤x≤1，
包括蚀刻工序，在前述被研磨面上形成电极的电极形成工序之前，在该蚀刻工序中对前述被研磨面进行干蚀刻，蚀刻深度在大于等于0.1μm小于等于15μm的范围内。
2.根据权利要求1所述的电极形成方法，其特征在于：在前述蚀刻工序中对前述被研磨面进行干蚀刻的蚀刻深度在大于等于0.2μm小于等于8μm的范围内。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的电极形成方法，其特征在于：前述电极包括层叠在前述被研磨面上的钒层、和层叠在该钒层上的铝层或铝合金层。
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