[发明专利]物品表面结构及其制作方法无效
申请号: | 200810000390.7 | 申请日: | 2008-01-09 |
公开(公告)号: | CN101480862A | 公开(公告)日: | 2009-07-15 |
发明(设计)人: | 简有彦;潘亮文;简吉鸿;董寰乾 | 申请(专利权)人: | 鑫科材料科技股份有限公司 |
主分类号: | B32B33/00 | 分类号: | B32B33/00;C23C14/06 |
代理公司: | 北京汇智英财专利代理事务所 | 代理人: | 张俊阁 |
地址: | 中国台湾高雄冈*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 物品 表面 结构 及其 制作方法 | ||
1、一种物品表面结构,其特征是包含:
一个物品;
一个全反射层,其由金属材质制成,且形于物品的一侧表面;及
一个折射层,其由陶瓷材料制成,且形成于全反射层的一侧,使得该全反射层介于物品及折射层之间,折射层的折射率大于全反射层的折射率。
2、如权利要求1所述的物品表面结构,其特征在于:折射层的表面另设有一个半反射层,该半反射层由金属材质制成,使得折射层介于全反射层及半反射层之间。
3、如权利要求1所述的物品表面结构,其特征在于:全反射层的厚度大于100纳米。
4、如权利要求1所述的物品表面结构,其特征在于:折射层的厚度介于80至400纳米之间。
5、如权利要求2所述的物品表面结构,其特征在于:半反射层的厚度低于50纳米。
6、如权利要求1所述的物品表面结构,其特征在于:全反射层的材质为铬(Cr)、铝(Al)、钼(Mo)、铂(Pt)、锌(Zn)、镍(Ni)及铜(Cu)之一。
7、如权利要求1所述的物品表面结构,其特征在于:折射层的材质为二氧化钛(TiO2)、二氧化硅(SiO2)、二氧化锆(ZrO2)及硅(Si)之一。
8、如权利要求2所述的物品表面结构,其特征在于:半反射层的材质为铬、铝、钼、铂、锌、镍及铜之一。
9、一种物品表面结构的制作方法,其特征是包含步骤:
在一个物品的表面溅镀形成一个由金属材质制成的全反射层;及
利用溅镀程序在该全反射层的表面形成一个由陶瓷材料制成的折射层,使该全反射层介于该物品及折射层之间;
其中,该折射层的折射率大于全反射层的折射率,使得外界的光线射入该折射层后,在折射层与全反射层的界面形成全反射,并穿过该折射层射出,进而使该物品表面呈现不同的颜色。
10、如权利要求9所述的物品表面结构的制作方法,其特征在于:形成该折射层后,另进行下列步骤:将一个由金属材质制成的半反射层以溅镀方式形成在折射层的表面,使得折射层介于全反射层及半反射层之间。
11、如权利要求9所述的物品表面结构的制作方法,其特征在于:全反射层的厚度大于100纳米。
12、如权利要求9所述的物品表面结构的制作方法,其特征在于:折射层的厚度介于80至400纳米之间。
13、如权利要求10所述的物品表面结构的制作方法,其特征在于:半反射层的厚度低于50纳米。
14、如权利要求9所述的物品表面结构的制作方法,其特征在于:全反射层的材质为铬(Cr)、铝(Al)、钼(Mo)、铂(Pt)、锌(Zn)、镍(Ni)及铜(Cu)之一。
15、如权利要求9所述的物品表面结构的制作方法,其特征在于:折射层的材质为二氧化钛(TiO2)、二氧化硅(SiO2)、二氧化锆(ZrO2)及硅(Si)之一。
16、如权利要求10所述的物品表面结构的制作方法,其特征在于:半反射层的材质为铬、铝、钼、铂、锌、镍及铜之一。
17、如权利要求9所述的物品表面结构的制作方法,其特征在于:以磁控直流式溅镀及磁控交流式溅镀之一的方式形成全反射层。
18、如权利要求9所述的物品表面结构的制作方法,其特征在于:以磁控直流反应式溅镀及磁控交流反应式溅镀之一的方式形成折射层。
19、如权利要求10所述的物品表面结构的制作方法,其特征在于:以磁控直流式溅镀及磁控交流式溅镀之一的方式形成该半反射层。
20、如权利要求9所述的物品表面结构的制作方法,其特征在于:进行溅镀形成该全反射层前,先对该物品进行清洗。
21、如权利要求9所述的物品表面结构的制作方法,其特征在于:溅镀形成全反射层的程序是将该物品放入一个溅镀反应室的阳极处,并在该溅镀反应室的阴极处置放一个靶材,抽真空后再通入一个工作气体进行溅镀。
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