[发明专利]内存磁盘及其操作方法无效

专利信息
申请号: 200810000439.9 申请日: 2008-01-10
公开(公告)号: CN101483050A 公开(公告)日: 2009-07-15
发明(设计)人: 陈任凯 申请(专利权)人: 信亿科技股份有限公司
主分类号: G11B19/02 分类号: G11B19/02;G11B20/10;G06F12/16
代理公司: 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 代理人: 孙皓晨
地址: 台湾省*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 内存 磁盘 及其 操作方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及的是一种3.5英寸SATA/SAS内存磁盘及其操作方法,特别涉及的是一种在计算机电源状况不足以维持现有的内存磁盘中易失型内存的运作时,能将数据由易失型内存暂存至非易失型内存,并在电源状况恢复时恢复所述的易失型内存中数据的一种内存磁盘。

背景技术

由于传统的硬盘存取速度涉及机械的物理限制,故运用内存来仿真硬盘的技术已被许多研究者考虑,如早先使用软件来将计算机的内存仿真为磁盘(此技术在十余年前的PC-AT时代便已广为人知),或近年来以DDR内存来仿真硬盘的技术(如技嘉Gigabyte在2005年底推出的i-RAM)等。但此等以易失型内存仿真硬盘的技术有一个大缺点,就是当计算机电源关闭后,易失型内存会立刻丧失所有储存在其中的数据。不以软件仿真而以外接内存来仿真硬盘功能的i-RAM也具有类似问题,虽然i-RAM具内建锂电池以保存储存在内存内的数据,但所述的锂电池仅能运作约16小时。进一步说,虽然i-RAM所使用的PCI接口可在计算机关机后提供微弱的电源以保存内存内的数据,但在完全丧失电源的情况下,仍有遗失数据的风险。i-RAM仍是PCI适配卡型态,目前并无3.5英寸硬盘型态的SATA或SAS内存磁盘。本发明即针对所述的现有记忆的缺失,提供一个解决方案,并且可完全取代3.5英寸SATA/SAS硬盘,适用在需极高随机存取速度磁盘的商业或工程应用。

发明内容

本发明公开一种3.5英寸SATA/SAS内存磁盘,所述的内存磁盘至少包含一内存磁盘控制器、一第一内存模块、一第二内存模块、一连接器(其与一计算机的硬盘连接器实质上与动作上耦合)与一电池模块(其可为电容器、锂电池、水银电池、碱性电池、镍氢充电电池、镍镉充电电池、或充电电池的一种或其中两种组合),其中所述的第一内存模块、所述的第二内存模块与所述的连接器都动作上耦合在所述的内存磁盘控制器。

本发明另公开一种3.5英寸SATA/SAS内存磁盘的操作方法,所述的内存磁盘至少包含一内存磁盘控制器、一第一内存模块、一第二内存模块、耦合至一计算机的硬盘连接器的一连接器与一电池模块,所述的操作方法由所述的内存磁盘控制器处理,至少包含侦测步骤(其侦测所述的计算机的电源状况)、启用步骤(其在所述的计算机的电源状况不足以维持所述的第一内存模块的运作时,或所述的第一内存模块的运作将受所述的计算机的电源状况影响时,启用所述的电池模块以将所述的第一内存内至少一部分的数据传输至所述的第二内存内)与加载步骤(其在所述的计算机的电源状况恢复至能维持所述的第一内存模块的运作时,或所述的第一内存模块的运作已不受所述的计算机的电源状况影响时,从所述的第二内存将数据加载所述的第一内存)。

在本说明书中,组件之间“动作上耦合”意指组件之间以电子讯号相互影响或控制,但并不一定直接实体上相互接触耦合,且相似或相同的组件将使用相同的组件符号。

附图说明

图1为具有DDR1/2/3 SO-DIMM模块与快闪记忆卡的一根据本发明的SATA/SAS内存磁盘的功能方块示意图;

图2为具有内建的DDR1/2/3内存模块与内建的闪存模块的一根据本发明的SATA内存磁盘的功能方块示意图;

图3为具有DDR1/2/3 SO-DIMM模块与快闪记忆卡的一根据本发明的SAS内存磁盘的功能方块示意图;

图4为具有内建的DDR1/2/3内存模块与内建的闪存的一根据本发明的SAS内存磁盘的功能方块示意图。

附图标记说明:100-SATA内存磁盘;101-内存磁盘控制器;102-DDR1/2/3 SO-DIMM模块;103-快闪记忆卡;104-SATA硬盘连接器;105-电池模块;201-内建的DDR内存;202-内建的闪存;300-SAS内存磁盘;301-SAS硬盘连接器。

具体实施方式

以下结合附图,对本发明上述的和另外的技术特征和优点作更详细的说明。

请参照图1,其为根据本发明的SATA内存磁盘的功能方块示意图,包含一内存磁盘控制器101、一DDR1/2/3 SO-DIMM模块102、一快闪记忆卡103、一SATA硬盘连接器104(其与一计算机的SATA硬盘连接器实质上与动作上耦合,以使所述的计算机将图1的内存磁盘当作一SATA硬盘来驱动并使用)与一电池模块。其中所述的快闪记忆卡103、所述的DDR1/2/3 SO-DIMM模块102与所述的连接器104都动作上耦合在所述的内存磁盘控制器。

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