[发明专利]一种多槽结构静电感应器件及其制备方法

权利要求书

1.一种多槽结构静电感应器件，包括上层的n⁺源区、中层的n^-高阻层和n^-高阻区、下层的低阻层硅衬底片，在n^-高阻区有栅体，其特征为硅衬底上表面开有栅电极坑、台面槽、隔断槽，在扩硼p⁺⁺区下面有一层浓硼p⁺区，其中栅电极坑的底面位于扩硼p⁺⁺区的顶面以下0.5-1.5μm处，在栅电极坑的一侧为台面槽，台面槽的底面位于浓硼p⁺区的顶面与底面之间，在栅电极坑的另一侧为隔断槽，隔断槽底面比浓硼p⁺区底面深＞12μm；n^-高阻层位于n⁺源区之下、n^-高阻区之上。

2.根据权利要求1所述的多槽结构静电感应器件的制备方法，其特征为由浅槽到深槽的分步刻蚀程序：第一步光刻：用L 5光刻版，栅电极坑、台面槽和隔断槽同步被刻蚀，刻蚀深度以栅电极坑达标为准，达标后即终止刻蚀；第二步光刻：用L6光刻版，已达标的栅电极坑被光刻胶覆盖而不受刻蚀，台面槽和隔断槽第二次同步刻蚀，刻蚀深度以台面槽达标为准，达标后即终止刻蚀；第三步光刻：用L7光刻版，已达标的栅电极坑和台面槽均被光刻胶覆盖而不受侵蚀，只对隔断槽作第三次刻蚀，直到其深度达标为止。

3.根据权利要求1所述的多槽结构静电感应器件的制备方法，其特征为由深槽到浅槽的分步刻蚀程序：第一步光刻：用L7光刻版，隔断槽被刻蚀；第二步光刻：用L6光刻版，台面槽和隔断槽第二次同步刻蚀；第三步光刻：用L5光刻版，隔断槽第三次被刻蚀达到标准深度，台面槽第二次被刻蚀达到标准深度，同步刻蚀栅电极坑，直到其深度达标为止。

4.根据权利要求2或3所述的多槽结构静电感应器件的制备方法，其特征为适用于外延形成源区的埋栅型器件和扩散形成源区的复合型器件。