[发明专利]激光可调节深度标记系统和方法有效
申请号: | 200810000675.0 | 申请日: | 2008-01-14 |
公开(公告)号: | CN101486278A | 公开(公告)日: | 2009-07-22 |
发明(设计)人: | Y·耿;X·赵 | 申请(专利权)人: | AXT公司 |
主分类号: | B41J2/475 | 分类号: | B41J2/475;G02B27/28;G02B7/00;H01L21/00 |
代理公司: | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 王 勇 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 激光 调节 深度 标记 系统 方法 | ||
1.一种激光标记设备,包括:
用于产生激光的激光发生单元;
用于为所述激光发生单元供电的激光电源;
用于产生扩展的激光的扩束器;
可调节的偏振设备,包括角度可变的偏振镜角设备,用于改变从其中 穿过的激光的偏振,其中该可调节的偏振设备根据该角度的变化调整 扩展的激光的能量密度;以及
用于接收调整了能量密度的扩展的激光并将其指向一片材料表面的 振镜扫描元件,
其中,通过该偏振镜角设备的角度变化而实现的对调整了能量密度的 扩展的激光的控制使得所述激光标记设备能够在所述该片材料表面 上产生具有低飞溅的标记。
2.如权利要求1所述的设备,其中可调节的偏振设备进一步包括用于通 过齿轮机构调整所述偏振镜角设备的偏振角的转换齿轮设备。
3.如权利要求1所述的设备,其中可调节的偏振设备进一步包括光阑设 备,通过调整光阑和孔径来调整扩展的激光的能量密度。
4.如权利要求1所述的设备,其中所述该片材料是半导体晶片并且其中 标记的深度小于1微米且具有低飞溅。
5.如权利要求1所述的设备,其中该片材料是半导体晶片并且其中标记 的深度在1微米和100微米之间并且能够设置成软标记或硬标记。
6.如权利要求1所述的设备,其中激光发生单元进一步包括掺钕钇铝石 榴石激光器。
7.如权利要求1所述的设备,其中可调节的偏振设备在0度和90度之 间调整扩展的激光的偏振角。
8.如权利要求7所述的设备,其中可调节的偏振设备在60度和70度之 间调整扩展的激光的偏振角。
9.一种采用激光标记设备在一片材料上进行激光标记的方法,其中激光 标记设备包括激光电源,激光传输系统,振镜扫描系统和电脑控制系 统,所述方法包括:
采用可调节的偏振设备调节激光能量密度,其中所述偏振设备包括角 度可变的偏振镜角设备,用于改变从中穿过的激光的偏振,其中可调 节的偏振设备根据该角度的变化调整扩展的激光的能量密度;
将调整了能量密度的激光指向一片材料;以及
利用通过该偏振镜角设备的角度变化而调整了能量密度的激光在所 述该片材料的表面上产生标记,其中标记的深度可调节并且具有低飞 溅。
10.如权利要求9所述的方法,其中在所述该片材料上产生标记进一步包 括在半导体基片表面上产生标记。
11.如权利要求9所述的方法,其中,调整激光的能量密度进一步包括在 0度到90度之间调整可调节的偏振设备的偏振角。
12.如权利要求11所述的方法,其中,调整偏振角进一步包括在60度到 70度之间调整激光的偏振角。
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