[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，包括下列步骤：

形成至少一介电层于半导体基板上，其中位于顶部的介电层为含硅的介电层；

形成至少一稀土元素氧化层于该含硅的介电层上；

形成至少一金属电极层于该稀土元素氧化层上；以及

于形成该金属电极层于该稀土元素氧化层上后，进行退火工艺，以在该含硅的介电层及该稀土元素氧化层之间至少部分区域，形成稀土硅酸盐层，其中在形成该金属电极层于该稀土元素氧化层上之前，并没进行退火工艺。

2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中该退火工艺的温度介于600℃至1200℃。

3.如权利要求1中所述的半导体装置的制造方法，其中该稀土元素氧化层/(该稀土元素氧化层+该含硅的介电层)厚度比介于0.1至0.4。

4.如权利要求1中所述的半导体装置的制造方法，其中该稀土元素氧化层包含镧、钇、镨、钕、钐、铕、钆、镝、铒、镱或其组合的氧化物。

5.如权利要求1中所述的半导体装置的制造方法，其中该金属电极层包含钨、钽、钛、钌、铂、钼、氮化钛、氮化钽或其组合。

6.如权利要求1中所述的半导体装置的制造方法，其中该半导体基板包含锗、锗化硅、砷化镓及/或磷化铟。

7.一种半导体装置，包括：

半导体基板；

至少一介电层，位于该半导体基板上，其中位于顶部的该介电层为含硅的介电层；

稀土硅酸盐层，位于该含硅的介电层上；

稀土元素氧化层，位于该稀土硅酸盐层上；以及

金属电极层，位于该稀土元素氧化层上。

8.如权利要求7中所述的半导体装置，还包含多晶硅层，位于该金属电极层上。

9.如权利要求7中所述的半导体装置，其中该含硅的介电层包含二氧化硅、氮氧化硅、硅酸铪或氮氧化铪硅。

10.如权利要求7中所述的半导体装置，其中该稀土元素氧化层包含镧、钇、镨、钕、钐、铕、钆、镝、铒、镱或其组合的氧化物。

11.如权利要求7中所述的半导体装置，其中该金属电极层包含钨、钽、钛、钌、铂、钼、氮化钛、氮化钽或其组合。

12.如权利要求7中所述的半导体装置，其中该半导体基板包含锗、锗化硅、砷化镓及/或磷化铟。