[发明专利]I/O口扩展电路有效
申请号: | 200810001479.5 | 申请日: | 2008-01-18 |
公开(公告)号: | CN101226514A | 公开(公告)日: | 2008-07-23 |
发明(设计)人: | 姜西辉;刘建伟;蒋洪波 | 申请(专利权)人: | 深圳和而泰智能控制股份有限公司 |
主分类号: | G06F13/40 | 分类号: | G06F13/40;H03K19/0175;H03K19/018 |
代理公司: | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 | 代理人: | 高占元 |
地址: | 518000广东省深圳市南山区高*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 扩展 电路 | ||
1.一种I/O口扩展电路,包括一个输入端口,其特征在于,还包括第一输出端口和第二输出端口;用于实现信号电平转换的反向驱动电路;用于实现脉冲信号转换为电平信号的第一驱动电路和第二驱动电路;所述第一驱动电路输入端和所述输入端口相连,所述第一驱动电路的输出端和所述第一输出端口相连;所述反向驱动电路的输入端和所述输入端口相连,所述反向驱动电路的输出端和所述第二驱动电路的输入端相连;所述第二驱动电路输出端和所述第二输出端口相连。
2.根据权利要求1所述的I/O口扩展电路,其特征在于,所述反向驱动电路包括第一串联电阻、第二串联电阻、串联电容、PNP三极管;所述第一串联电阻一端连接电源,另一端和所述PNP三极管的基极相连;所述第二串联电阻一端和所述输入端口相连,另一端通过串联电容连接到所述PNP三极管的基极;所述PNP三极管的发射极和电源相连,所述PNP三极管的集电极构成所述反向驱动电路的输出端。
3.根据权利要求1所述的I/O口扩展电路,其特征在于,所述第一驱动电路包括第三串联电阻、第一储能电容、第一分压电阻、第二分压电阻和第一NPN三极管;所述第三串联电阻具有A端和B端,所述第三串联电阻A端和所述输入端口相连;所述第一分压电阻一端接地,另一端和所述第一NPN三极管的基极相连;所述第二分压电阻一端和所述第三串联电阻B端相连,另一端和所述第一NPN三极管的基极相连;所述第一储能电容一端接地,另一端和所述第三串联电阻B端相连;所述第一NPN三极管发射极接地,所述第一NPN三极管集电极构成所述第一驱动电路输出端。
4.根据权利要求1所述的I/O口扩展电路,其特征在于,所述第二驱动电路包括第四串联电阻、第二储能电容、第三分压电阻、第四分压电阻和第二NPN三极管;所述第四串联电阻具有A端和B端,所述第四串联电阻A端和所述反向驱动电路输出端相连;所述第三分压电阻一端接地,另一端和所述第二NPN三极管的基极相连;所述第四分压电阻一端和所述第四串联电阻B端相连,另一端和所述第二NPN三极管的基极相连;所述第二储能电容一端接地,另一端和所述第四串联电阻B端相连;所述第二NPN三极管发射极接地,所述第二NPN三极管集电极构成所述第二驱动电路输出端。
5.根据权利要求3所述的I/O口扩展电路,其特征在于,所述第一储能电容为有极性电容,所述第一储能电容的负端接地。
6.根据权利要求3所述的I/O口扩展电路,其特征在于,所述第一储能电容为电解电容。
7.根据权利要求4所述的I/O口扩展电路,其特征在于,所述第二储能电容为有极性电容,所述第二储能电容的负端接地。
8.根据权利要求4所述的I/O口扩展电路,其特征在于,所述第二储能电容为电解电容。
9.根据权利要求1所述的I/O口扩展电路,其特征在于,所述第一驱动电路和第二驱动电路的输出端外部上拉到电源,当所述输入端口为低电平时,所述第一驱动电路输出高电平,所述第二驱动电路输出高电平;当所述输入端口为高电平时,所述第一驱动电路输出低电平,所述第二驱动电路输出高电平;当所述输入端口为高占空比信号时,所述第一驱动电路输出低电平,所述第二驱动电路输出低电平;当所述输入端口为低占空比信号时,所述第一驱动电路输出高电平,所述第二驱动电路输出高电平。
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