[发明专利]光掩模对位曝光方法及光掩模组件

权利要求书

1.一种光掩模对位曝光方法，包含：

利用第一光掩模的第一图案区对于基板的光致抗蚀剂层进行曝光，以形 成至少一第一曝光区；

利用第二光掩模的第二图案区对于该光致抗蚀剂层进行曝光，以形成第 二曝光区；以及

利用该第二光掩模的第三图案区对于该光致抗蚀剂层进行曝光，以形成 第三曝光区，

其中，该第一曝光区位于该第二曝光区与该第三曝光区之间，

该第二光掩模具有多个第二光掩模定位点，这些第二光掩模定位点位于 该第二图案区与该第三图案区之间。

2.如权利要求1所述的光掩模对位曝光方法，其中形成该第一曝光区 的步骤，包含以下子步骤：

将该第一光掩模具有的多个第一光掩模定位点分别与形成于该基板上 的多个第一定位点对准，以曝光形成该第一曝光区。

3.如权利要求2所述的光掩模对位曝光方法，其中各该第一光掩模定 位点与各该第一定位点对准后，形成第一对位标记。

4.如权利要求1所述的光掩模对位曝光方法，其中形成该第二曝光区 的步骤，包含以下子步骤：

将该第二光掩模具有的多个第二光掩模定位点分别与形成于该基板上 的多个第二定位点对准，以曝光形成该第二曝光区。

5.如权利要求4所述的光掩模对位曝光方法，其中各该第二光掩模定 位点与各该第二定位点对准后，形成第二对位标记。

6.如权利要求1所述的光掩模对位曝光方法，其中形成该第三曝光区 的步骤，包含以下子步骤：

将该第二光掩模具有的这些第二光掩模定位点分别与形成于该基板上 的多个第三定位点对准，以曝光形成该第三曝光区。

7.如权利要求6所述的光掩模对位曝光方法，其中各该第二光掩模定 位点与各该第三定位点对准后，形成第三对位标记。

8.如权利要求1所述的光掩模对位曝光方法，其用于制作薄膜晶体管 基板。

9.一种光掩模组件，用于对于基板的光致抗蚀剂层曝光，该光掩模组 件包含：

第一光掩模，具有第一图案区及多个第一光掩模定位点，这些第一光掩 模定位点位于该第一图案区的周围；以及

第二光掩模，具有第二图案区、第三图案区以及多个第二光掩模定位点， 这些第二光掩模定位点位于该第二图案区与该第三图案区之间。

10.如权利要求9所述的光掩模组件，其中该基板上形成有多个第一定 位点，该第一光掩模以各该第一光掩模定位点对准于各该第一定位点以曝光 形成该第一曝光区。

11.如权利要求10所述的光掩模组件，其中该基板上形成有多个第二 定位点，该第二光掩模以各该第二光掩模定位点对准于各该第二定位点以曝 光形成该第二曝光区。

12.如权利要求11所述的光掩模组件，其中该基板上形成有多个第三 定位点，该第二光掩模以各该第二光掩模定位点对准于各该第三定位点以曝 光形成该第三曝光区。