[发明专利]操作具有氧化/氮化多层绝缘结构非易失存储单元的方法

权利要求书

1.一种擦除存储单元的方法，其特征在于，该方法包含：

提供一存储单元，而该存储单元包含：

一半导体层；

一下绝缘层位于该半导体层的上方；

一电荷储存层位于该下绝缘层的上方；

一上绝缘多层结构位于该电荷储存层的上方，其中该上绝缘多层结构包含一下介电层以及一上氮化物层位于该下介电层的上方；以及

一栅极位于该上绝缘多层结构的上方；以及

对该栅极施加一正电压，其中，该正电压满足下列条件之一：

1)擦除该存储单元时，该正电压造成由该栅极朝向该电荷储存层的空穴发生隧穿；或者

2)编程该存储单元时，该正电压造成由该半导体层朝向该电荷储存层的电子发生隧穿；或者

3)读取该存储单元时，该正电压用来感测一电流，以及决定该存储单元状态。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该存储单元更包含一半导体衬底，而该半导体衬底是选自碳化硅、玻璃、蓝宝石、绝缘体上硅、硅、介电质或载体。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该半导体层具有至少靠近该半导体层表面被一沟道区域所分离的二源极/漏极区域。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该半导体层包含经p掺杂的硅，且其中该至少二源极/漏极区域的每—者包含—n掺杂的埋藏扩散注入区域。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该存储单元满足下列条件之一：该下绝缘层包含一氧化物；或者该电荷储存层包含一氮化物；或者该下介电层包含一氧化物。

6.根据权利要求1或5所述的方法，其特征在于，该存储单元满足下列条件之一：该下绝缘层具有—30埃至120埃的厚度；或者该电荷储存层具有一40埃至150埃的厚度；或者该下介电层具有一18埃至25埃的厚度；或者该上氮化物层具有一40埃至70埃的厚度。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，该存储单元满足下列条件之一：该电荷储存层包含一氮化硅；或者该下介电层包含一氧化硅；或者该上氮化物层包含一氮化硅。

8.根据权利要求1或5所述的方法，其特征在于，该栅极包含p掺杂多晶硅。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该正电压满足下列条件之一：

1)擦除该存储单元时，该正电压为11至16伏特；或者

2)编程该存储单元时，该正电压为7至11伏特；或者

3)读取该存储单元时，该正电压为2至5伏特。

10.根据权利要求1或9所述的方法，其特征在于，该正电压满足下列条件之一：

1)擦除该存储单元时，施加该正电压一介于50毫秒至1秒间的时间长度；或者

2)编程该存储单元时，施加该正电压一介于1至50微秒间的时间长度。