[发明专利]排气单元,排气方法,和具有排气单元的半导体制造设备

说明书

相关申请的交叉引用

本美国非临时专利申请根据35U.S.C.§119要求2007年1月3日提交的韩国专利申请No.10-2007-00740的优先权，该韩国专利申请的整个内容因此作为参考并入。

技术领域

在此公开的本发明涉及一种半导体制造设备，并且特别涉及一种用于将气体从工艺室排出以降低工艺室内压力的排气单元和排气方法。

背景技术

通常，半导体制造设备具有在清洁室内的多个工艺室和对工艺室内的压力进行控制的排气单元。每个工艺室连接至支管，用于从工艺室中排出气体，相应的支管连接至主管。主管由安装有风扇的初级管和连接至支管的次级管构成。通常，控制该风扇以根据大气压力调节排出的气体量，并且工艺室内的压力受到风扇所排出的气体量的影响。

在工艺期间，工艺室内部的压力应当被维持为低压，并且压力的任何变化将出现在最小的范围内。然而，当在使用诸如上述的通常排气单元期间压力在较宽范围上变化时，工艺室内的压力也将在较宽范围上波动，从而导致制造缺陷。图1是表示在扩散过程期间根据大气压力的波动，形成在晶片上的氧化层厚度的变化。如图1所示，大气压力的波动范围直接影响在工艺室内形成在晶片上的氧化层厚度，由此使得当大气压力波动较大时，晶片上的氧化层厚度的均匀性变差。

此外，当工艺室添加至清洁室或者从清洁室移开时，通过主管排出的气体总量发生变化，从而必须手动地调节分别设置在次级管中的每个节气阀的打开比。这耗费很多的时间和劳力。

因此，需要能够更好地调节工艺室内的压力波动的排气单元和方法。

发明内容

本发明提供一种能够有效地控制工艺室内的压力的排气单元和排气方法，和具有该排气单元的半导体制造设备。

本发明还提供一种能够防止由于外界影响所引起的工艺室内的大的压力波动，和一种具有该排气单元的半导体制造设备。

本发明的设置不局限于此，并且可包括未描述的其他设置，这些其他设置将由于下面的描述而对本领域技术人员变得明显。

本发明的实施例提供一种用于调节工艺室中的压力的排气单元，该排气单元包括：主排气管，该主排气管连接至工艺室，并且包括限定在其侧壁中的第一开口和第二开口中的至少一个；至少一个辅排气管，该辅排气管的一端连接至第一开口，并且另一端连接至在第一开口下游的第二开口，以允许流过主排气管的一部分气体通过第一开口从主排气管分叉，并且通过第二开口再次进入主排气管。允许调节第二开口的打开比的调节构件设置在排气单元中。

在一些实施例中，该调节构件可包括翼片，该翼片通过与流过主排气管的气体量相碰撞而改变第二开口的打开比，并且当在主排气管中翼片所碰撞的气体量增加时该翼片可减小第二开口的打开比。

在其他的实施例中，该翼片的一端可安装在更接近第一开口的第二开口的末端附近，该翼片的另一端是自由端。

在又一个实施例中，该翼片可包括：第一板；和第二板，该第二板从第一板弯曲并延伸。该调节构件还可包括将相交轴线联接至主排气管或辅排气管的铰链，其中第二板在相交轴线处从第一板弯曲和延伸。

在又一个实施例中，该调节构件还可包括：轴承，该轴承固定至主排气管或辅排气管；和旋转轴，该旋转轴旋转地插在轴承中以固定第一板和第二极。

在又一个实施例中，该调节构件还可包括橡胶材料的连接构件，用于将第二板在其处从第一板弯曲和延伸的相交轴线固定至主排气管或辅排气管。

在又一个实施例中，排气单元还可包括布置在第一开口和第二开口之间的节气阀，以调节主排气管的打开比。

在又一个实施例中，该主排气管可具有横向于其纵向剖开的矩形横截面。主排气管可具有相对的侧壁，辅排气管可分别设置在每个侧壁上。辅排气管可以以一侧打开的容器的形状形成，并且该打开侧可与第一开口和第二开口连通。

在又一个实施例中，该调节构件包括：翼片，该翼片旋转以调节第二开口的打开比；驱动器，该驱动器旋转翼片；气流测量器，该气流测量器测量流过主排气管或辅排气管的气体量；和控制器，该控制器根据从气流测量器接收的测量值控制驱动器。

在本发明的其他实施例中，半导体制造设备包括：清洁室；多个工艺室，该多个工艺室布置在清洁室内以执行半导体工艺；和排气单元，该排气单元调节工艺室的压力，其中，该排气单元包括：结合管，该结合管具有压力控制构件，该压力控制构件根据大气压力的波动调节排气压力；和分离管，该分离管从结合管分叉并且联接至工艺室。该结合管可以在上述排气单元中以多种构造实现。