[发明专利]基板处理装置及基板处理方法有效
申请号: | 200810001968.0 | 申请日: | 2008-01-04 |
公开(公告)号: | CN101252078A | 公开(公告)日: | 2008-08-27 |
发明(设计)人: | 尾崎一人 | 申请(专利权)人: | 大日本网目版制造株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;G02F1/1368;G03F7/26 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐恕;马少东 |
地址: | 日本京都*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种利用处理液将以图案状形成在基板上的溶解膜溶解,从而从基板上除去形成在溶解膜上的薄膜的基板处理装置及基板处理方法。
背景技术
在FPD(Flat Panel Display:平板显示器)或滤色片等的制造工序中,取代金属的蚀刻,而通过剥离(lift off)法来形成金属的薄膜图案。在此,剥离法是指利用光致抗蚀剂等的溶解膜在基板的表面上形成与目标图案相反的图案,并对该基板蒸镀金属薄膜之后,通过处理液使溶解膜溶解,从而从基板上除去溶解膜上的金属薄膜来形成所要的图案的方法。
例如,美国专利申请公开第2004/0197966号说明书中公开了如下的工序:利用光致抗蚀剂形成像素电极的图案并通过真空蒸镀法沉积电极材料之后,利用有机熔剂来溶解光致抗蚀剂图案,从而剥离沉积膜而形成元件电极。
当通过这种剥离法形成图案时,被剥离的金属薄膜以粉末状态大量地混入到处理液中。该金属薄膜不会像蚀刻时那样被处理液溶解。因此,由于该金属薄膜混入,会发生压送处理液用泵的故障以及设置在循环路径上的过滤器的筛眼堵塞等。而且,由于变成粉末的金属薄膜再次附着于基板上,从而产品的成品率下降。
发明内容
本发明是为了解决上述问题而提出的,其目的在于提供一种基板处理装置及基板处理方法,能够减少压送处理液用泵的故障以及设置在循环路径上的过滤器的筛眼堵塞,并且还能够防止薄膜再次附着在基板上。
本申请第一技术方案所述的一种基板处理装置,利用处理液使以图案状形成在基板上的溶解膜溶解,从而从基板上除去形成在溶解膜上的薄膜,其特征在于,包括:处理液供给单元,其用于向基板供给所述处理液;处理液回收单元,其用于回收由所述处理液供给单元供给到基板上而对所述溶解膜进行溶解从而含有所述薄膜的处理液;分离单元,其从由所述处理液回收单元回收的处理液中将所述薄膜分离并排出到处理液外,将通过所述分离单元而分离并排出薄膜之后的处理液,再次向基板供给。
本申请第二技术方案是在第一技术方案的基础上,还包括:多个处理部,其设置有所述处理液供给单元;基板传送机构,其用于向所述多个处理部依次传送基板,而且所述处理液回收单元和所述分离单元至少设置在位于传送线路的上游侧的处理部,其中该传送线路是由所述基板传送机构传送基板的传送线路。
本申请第三技术方案是在第二技术方案的基础上,包括有送液机构,该送液机构将处理液从所述多个处理部中的位于传送线路的下游侧的处理部向位于传送线路的上游侧的处理部输送,其中该传送线路是由所述基板传送机构传送基板的传送线路。
本申请第四技术方案是在第二或第三技术方案的基础上,还包括有断液单元,该断液单元将残留在从所述处理部搬出的基板的表面上的处理液从该表面上除去。
本申请第五技术方案是在第四技术方案的基础上,所述断液单元是向基板的表面喷射气体的气刀。
本申请第六技术方案是在第二技术方案的基础上,在所述多个处理部中的位于传送线路的最下游侧的处理部中设置过滤处理液的过滤单元,其中该传送线路是由所述基板传送机构传送基板的传送线路。
本申请第七技术方案所述的一种基板处理方法,利用处理液使以图案状形成在基板上的溶解膜溶解,从而从基板上除去形成在溶解膜上的薄膜,其特征在于,包括:处理液供给工序,用于向基板供给所述处理液;处理液回收工序,用于回收在所述处理液供给工序中供给到基板上而对所述溶解膜进行溶解从而含有所述薄膜的处理液;分离工序,从在所述处理液回收工序中回收了的处理液中将所述薄膜分离并排出到处理液外;处理液再供给工序,将在所述分离工序中分离并排出薄膜之后的处理液再次向基板供给。
根据第一以及第七技术方案,能够减少压送处理液用泵的故障以及设置在循环路径上的过滤器的筛眼堵塞,并且能够防止薄膜再次附着在基板上。
根据第二技术方案,利用多个处理部能够将基板依次处理干净。
根据第三技术方案,能够有效使用处理液。
根据第四技术方案,能够防止将薄膜与处理液一起带入到基板的传送线路的下游侧的处理部中。
根据第五技术方案,通过气体,不仅能够除去处理液,而且还能够除去附着在基板的表面上的薄膜。
根据第六技术方案,能够在防止过滤单元的筛眼堵塞的同时,对处理液进行过滤。
附图说明
图1是本发明的基板处理装置的概要图。
图2是过滤单元39的概要图。
图3是其它实施方式的第一处理部1的概要图。
图4是另外其它实施方式的第一处理部1的概要图。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造