[发明专利]化合物材料晶片的制造方法有效
| 申请号： | 200810002207.7 | 申请日： | 2005-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN101221895A | 公开（公告）日： | 2008-07-16 |
| 发明（设计）人： | 弗雷德里克·杜蓬 | 申请（专利权）人： | 硅绝缘体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/20;H01L21/762;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁香兰 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 化合物 材料 晶片 制造 方法 | ||
1.一种经修整的施体基材，所述经修整的施体基材包含施体基材(1)的残余部分(9)，所述残余部分(9)具有进行层的拆分的一个表面侧(11)和提供层(12)的相对的表面侧(15)。
2.如权利要求1所述的经修整的施体基材，其中所述层(12)为均相外延层。
3.如权利要求1所述的经修整的施体基材，其中所述层(12)具有与所述残余部分(9)相同的材料，但其中所述层(12)的晶体品质不低于所述残余部分(9)的晶体品质。
4.如权利要求1～3任一项所述的经修整的施体基材，其中所述层(12)具有高达几百纳米的厚度。
5.如权利要求1～3任一项所述的经修整的施体基材，其中所述层(12)中的位错密度优于所述残余部分(9)中的位错密度。
6.如权利要求1～3任一项所述的经修整的施体基材，所述经修整的施体基材在进行拆分的初始施体基材(1)的残余部分(9)的表面侧(11)上还包含保护层(30)。
7.如权利要求1～3任一项所述的经修整的施体基材，其中所述初始施体基材(1)的残余部分(9)由GaN构成。
8.如权利要求7所述的经修整的施体基材，其中所述层(12)提供在所述残余部分(9)的Ga表面(15)上。
9.如权利要求8所述的经修整的施体基材，其中所述层(12)是掺杂的。
10.如权利要求7所述的经修整的施体基材，其中N表面(5)的表面粗糙度对于采用5μm×5μm的尺寸的扫描低于0.3nm RMS。
11.一种具有N表面和Ga表面的GaN施体基材，其特征在于，在所述Ga表面上提供层(12)。
12.如权利要求11所述的GaN施体基材，其中所述层(12)是GaN。
13.如权利要求11或12所述的GaN施体基材，其中所述层(12)具有高达几百纳米的厚度。
14.如权利要求11或12所述的GaN施体基材，其中所述层(12)中的位错密度小于1×107/cm2。
15.如权利要求11或12所述的GaN施体基材，其中所述层(12)是掺杂的。
16.如权利要求11或12所述的GaN施体基材，其中N表面(5)的表面粗糙度对于采用5μm×5μm的尺寸的扫描低于0.3nm RMS。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
