[发明专利]磁畴数据存储装置及其制造方法

权利要求书

1.一种磁畴数据存储装置，包括：

包括多个磁畴的第一磁层，每个所述磁畴具有磁化方向；

位于所述第一磁层下表面上的第二磁层，所述第二磁层由软磁材料形成。

2.如权利要求1所述的数据存储装置，其中，所述第二磁层还位于所述第一磁层的至少一个侧面上。

3.如权利要求1所述的数据存储装置，其中，所述第二磁层还位于所述第一磁层的上表面上。

4.如权利要求1所述的数据存储装置，其中，所述第一磁层由具有10⁵J/m³至10⁷J/m³的磁各向异性常数的材料形成。

5.如权利要求1所述的数据存储装置，其中，所述第一磁层由CoPt、CoCrPt、FePt、SmCo、TbCoFe及这些材料的合金中的至少一种材料形成。

6.如权利要求1所述的数据存储装置，其中，所述第二磁层由具有10J/m³至10³J/m³的磁各向异性常数的材料形成。

7.如权利要求1所述的数据存储装置，其中，所述第二磁层由NiFe、CoFe、CoFeNi、CoZrNb、CoTaZr及这些材料的合金中的至少一种材料形成。

8.如权利要求1所述的数据存储装置，其中，所述第一磁层具有1nm至100nm的厚度。

9.如权利要求1所述的数据存储装置，其中，所述第二磁层具有1nm至50nm的厚度。

10.一种制造磁畴数据存储装置的方法，所述方法包括：

采用第一聚合物涂基底；

使用图案化的主模压制所述第一聚合物；

硬化第一聚合物；

从第一聚合物分离主模；

采用第二磁层涂所述第一聚合物；

采用第一磁层涂所述第二磁层；

采用第二聚合物涂所述第一磁层；

使用所述图案化的主模压制所述第二聚合物；

在所述第一磁层和所述第二聚合物上形成覆盖层；

通过蚀刻去除所述覆盖层和第一磁层的上部。

11.如权利要求10所述的方法，其中，所述第一聚合物和第二聚合物包括2-羟基-2-甲基-1-苯基-1-丙酮、丙烯酸四氢糠酯、丙烯酸2-羟乙酯、聚醚丙烯酸酯预聚物以及丙烯酸酯化的环氧预聚物中的至少一种。

12.如权利要求10所述的方法，其中，所述第一磁层由具有10⁵J/m³至10⁷J/m³的磁各向异性常数的材料形成。

13.如权利要求10所述的方法，其中，所述第一磁层由CoPt、CoCrPt、FePt、SmCo、TbCoFe及这些材料的合金中的至少一种材料形成。

14.如权利要求10所述的方法，其中，所述第二磁层由具有10J/m³至10³J/m³的磁各向异性常数的材料形成。

15.如权利要求10所述的方法，其中，所述第二磁层由NiFe、CoFe、CoFeNi、CoZrNb、CoTaZr及这些材料的合金中的至少一种材料形成。

16.如权利要求10所述的方法，其中，所述第一磁层具有1nm至100nm的厚度。

17.如权利要求10所述的方法，其中，所述第二磁层具有1nm至50nm的厚度。