[发明专利]半导体存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体存储器件的制造方法，其特征在于：

具备：

(a)在半导体层中形成第1导电类型的阱区的工序；

(b)通过在上述阱区的上表面部有选择地形成元件隔离绝缘膜，以规定有源区的工序；

(c)在上述有源区，各自形成具有栅电极、第1导电类型的体区和第2导电类型的源/漏区的存取MOS晶体管和驱动MOS晶体管，形成覆盖它们的层间绝缘膜的工序；

(d)在上述层间绝缘膜上，形成抵达上述存取MOS晶体管的上述栅电极和上述元件隔离绝缘膜下面的上述阱区的第1接触孔的工序；

(e)在上述第1接触孔内注入上述第1或第2导电类型的杂质的工序；以及

(f)通过在上述第1接触孔内埋入规定的金属以形成接触的工序。

2.如权利要求1所述的半导体存储器件的制造方法，其特征在于：

上述工序(d)包含

(g)在存取MOS晶体管和驱动MOS晶体管上形成与上述第1接触孔不同的第2接触孔的工序，

在上述工序(e)之前，进行

(h)用抗蚀剂堵塞上述第2接触孔的工序，

在上述工序(f)之前，进行

(i)除去上述抗蚀剂的工序，

在上述工序(f)中，上述规定的金属也被埋入上述第2接触孔中。

3.如权利要求2所述的半导体存储器件的制造方法，其特征在于：

在上述工序(h)中形成的上述抗蚀剂的图形与上述有源区的图形相同。