[发明专利]制造集成电路的方法及该集成电路的半导体结构

权利要求书

1.一种制造集成电路的方法，其包含有：

在晶圆上进行离子注入，使得该晶圆上的一芯片具有原始掺杂浓度；

将该芯片分为多个区域；以及

控制该多个区域中至少一区域不再进行离子注入，以使该区域仅具有单次离子注入而使用该原始掺杂浓度作为该区域中晶体管的N阱或是P阱的掺杂浓度。

2.根据权利要求1所述的方法，其中该芯片的该多个区域包含有：

至少一第一区域，其中该第一区域是进行临界电压注入制程，使得该第一区域中晶体管的N阱或是P阱具有另一掺杂浓度；以及

至少一第二区域，其中该第二区域未进行该临界电压注入制程，使得该第二区域中晶体管的N阱或是P阱具有该原始掺杂浓度。

3.根据权利要求2所述的方法，其中该第二区域是对应至该集成电路中的信号输出端。

4.根据权利要求1所述的方法，其中该区域中晶体管的临界电压是位于1.5～2.5伏特之间。

5.根据权利要求1所述的方法，其中该集成电路为液晶显示器的驱动电路或是有机发光二极管显示器的驱动电路。

6.一种集成电路的半导体结构，其包含有：

芯片，包含有多个区域，且该多个区域中至少一区域使用原始掺杂浓度作为该区域中晶体管的N阱或是P阱的掺杂浓度，其中该原始掺杂浓度为单次离子注入的掺杂浓度。

7.根据权利要求6所述的半导体结构，其中该芯片的该多个区域包含有：

至少一第一区域，其中该第一区域中晶体管的N阱或是P阱具有异于该原始掺杂浓度的另一掺杂浓度；以及

至少一第二区域，其中该第二区域中晶体管的N阱或是P阱具有该原始掺杂浓度。

8.根据权利要求7所述的半导体结构，其中该第二区域是对应至该集成电路中的信号输出端。

9.根据权利要求6所述的半导体结构，其中该区域中晶体管的临界电压是位于1.5～2.5伏特之间。

10.根据权利要求6所述的半导体结构，其中该集成电路为液晶显示器的驱动电路或是有机发光二极管显示器的驱动电路。