[发明专利]不挥发性半导体存储装置

权利要求书

1.一种不挥发性半导体存储装置，包括：

交叉点单元阵列、

在第1方向上延伸的多条字线、

在与所述第1方向不同的第2方向上延伸的多条位线、

从所述多条字线中选择选择字线的第1解码器电路、

从所述多条位线中选择选择位线的第2解码器电路、

生成第1参照信号的第1参照信号生成电路、

生成与所述第1参照信号不同的第2参照信号的第2参照信号生成电路、和

读出电路，

其特征在于：

所述交叉点单元阵列包括多个单元，

所述多个单元中的每一个插在所述多条字线中的1条字线和所述多条位线中的1条位线之间，

选择单元插在所述选择字线和所述选择位线之间，

所述读出电路基于与通过在所述选择字线和所述选择位线之间施加电压而在所述选择位线中流过的检测电流相对应的检测信号，通过将所述检测信号和所述第1参照信号的差相对应的第1差分信号、与所述检测信号和所述第2参照信号的差相对应的第2差分信号进行比较，判别所述选择单元的存储数据。

2.权利要求1中记载的不挥发性半导体存储装置，其特征在于：

所述第1参照信号生成电路是插在第1参照字线和第1参照位线之间的第1参照单元，

所述第1参照信号是通过在所述第1参照字线和所述第1参照位线之间施加电压而在所述第1参照位线中流过的电流，

所述第2参照信号生成电路是插在第2参照字线和第2参照位线之间的第2参照单元，

所述第2参照信号是通过在所述第2参照字线和所述第2参照位线之间施加电压而在所述第2参照位线中流过的电流。

3.权利要求2中记载的不挥发性半导体存储装置，其特征在于：

所述第1参照单元是具有第1电阻值的单元，所述第2参照单元是具有与所述第1电阻值不同的第2电阻值的单元。

4.权利要求2中记载的不挥发性半导体存储装置，其特征在于：

所述第1参照单元和所述第2参照单元设置在所述交叉点单元阵列的内部。

5.权利要求4中记载的不挥发性半导体存储装置，其特征在于：

所述选择字线、所述第1参照字线和所述第2参照字线是同一条字线。

6.权利要求4中记载的不挥发性半导体存储装置，其特征在于：

所述第1参照位线是所述多条位线中的一条位线，所述第2参照位线是所述多条位线中的另一条位线。

7.权利要求6中记载的不挥发性半导体存储装置，其特征在于：

位于所述第1参照位线上的参照单元的电阻值的总和与位于所述第2参照位线上的参照单元的电阻值的总和大致相同。

8.权利要求4中记载的不挥发性半导体存储装置，其特征在于：

所述第1参照位线和所述第2参照位线是所述多条位线中不同的位线。

9.权利要求4中记载的不挥发性半导体存储装置，其特征在于：

所述第1参照位线和所述第2参照位线是所述多条位线中相邻的位线。

10.权利要求4中记载的不挥发性半导体存储装置，其特征在于：

所述第1参照单元和所述第2参照单元位于所述交叉点单元阵列的大致中央部分，或者位于成为读出对象的单元阵列的大致中央部分。

11.权利要求2中记载的不挥发性半导体存储装置，其特征在于：

所述第1解码器电路在第1读出操作期间给所述选择字线和所述第1参照字线施加电压，在相对于所述第1读出操作期间时间上滞后的第2读出操作期间，给所述选择字线和所述第2参照字线施加电压。

12.权利要求2中记载的不挥发性半导体存储装置，其特征在于：

所述第1解码器电路给所述选择字线、所述第1参照字线和所述第2参照字线施加电压。

13.权利要求2中记载的不挥发性半导体存储装置，其特征在于：

所述第2解码器电路在第1读出操作期间给所述选择位线和所述第1参照位线施加电压，在相对于所述第1读出操作期间时间上滞后的第2读出操作期间，给所述选择位线和所述第2参照位线施加电压。