[发明专利]具有突出底部电极的铁电存储器件及其形成方法

权利要求书

1.一种用于形成铁电存储器件的方法，包括：

在具有导电区的衬底上形成绝缘层；

在所述绝缘层内形成电连接到所述导电区的底部电极；

对所述绝缘层进行挖槽；以及

在所述挖槽的绝缘层上形成用于覆盖所述底部电极的铁电层和上部电极层；

其中，所述底部电极突出在所述挖槽的绝缘层的上表面之上。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述绝缘层包括：

在所述衬底上形成层间介质层；以及

在所述层间介质层上形成阻挡层。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，形成所述底部电极包括：

构图所述层间介质层和所述阻挡层，以形成露出所述导电区的开口；

形成与所述开口的下部区域内的所述导电区相接触的底部电极接触；以及

利用导电材料填充所述底部电极接触上的所述开口。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，形成所述底部电极包括：

构图所述层间介质层，以形成露出所述导电区的第一开口；

形成与所述第一开口内的导电区相接触的底部电极接触；

在形成有所述底部电极接触的层间介质层上形成阻挡层；

构图所述阻挡层，以形成露出所述底部电极接触的第二开口；以及

利用导电材料填充所述第二开口。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第二开口的宽度大于所述第一开口的宽度。

6.根据权利要求2所述的方法，其中，对所述绝缘层挖槽包括对所述阻挡层进行挖槽。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述绝缘层包括：

在所述衬底上形成层间介质层；

在所述层间介质层上形成阻挡层；以及

在所述阻挡层上形成牺牲绝缘层。

8.根据权利要求7所述的方法，其中形成所述底部电极包括：

构图所述层间介质层、所述阻挡层以及所述牺牲绝缘层，以形成露出所述导电区的开口；

形成与所述开口的下部区域内的所述导电区相接触的底部电极接触；以及

利用导电材料填充所述底部电极接触上的开口。

9.根据权利要求7所述的方法，其中，形成所述底部电极包括：

构图所述层间介质层，以形成露出所述导电区的第一开口；

在所述第一开口内形成底部电极接触；

在形成有所述底部电极接触的层间介质层上形成所述阻挡层和所述牺牲绝缘层；

构图所述阻挡层和所述牺牲绝缘层，以形成露出所述底部电极接触的第二开口；以及

利用导电材料填充所述第二开口。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第二开口的宽度大于所述第一开口的宽度。

11.根据权利要求7所述的方法，其中，对所述绝缘层进行挖槽包括对所述牺牲绝缘层进行挖槽。

12.根据权利要求7所述的方法，其中，对所述绝缘层进行挖槽包括去除所述牺牲绝缘层。

13.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在形成所述铁电层之前，形成用于生长所述铁电层的籽晶层。

14.一种铁电存储器件，包括：

具有导电区的衬底；

位于所述衬底上的绝缘层；

底部电极，其电连接到所述导电区，而且突出在所述绝缘层之上，所述底部电极的下表面低于所述绝缘层的上表面；以及

铁电层和上部电极，该铁电层和上部电极覆盖所述底部电极的上表面和侧壁。

15.根据权利要求14所述的铁电存储器件，进一步包括：

底部电极接触，其被插在所述导电区与所述底部电极之间，其中，所述底部电极的宽度与所述底部电极接触的宽度大约相同。

16.根据权利要求14所述的铁电存储器件，其中，所述底部电极具有固定宽度。

17.根据权利要求14所述的铁电存储器件，其中，所述底部电极包括钌或者铱。