[发明专利]有源式场发射基板与有源式场发射显示器

权利要求书

1.一种有源式场发射基板，包括：

薄膜晶体管基板，具有多个薄膜晶体管，其中每一薄膜晶体管至少包括源极、漏极与栅极；以及

场发射元件基板，位于该薄膜晶体管基板上，该场发射元件基板具有多个导电沟道以及多个场发射源，其中每一导电沟道贯穿该场发射元件基板并分别与每一场发射源电性相连，且

该场发射元件基板的每一导电沟道分别与该薄膜晶体管基板的每一薄膜晶体管中的该源极与该漏极其中之一电性导通。

2.如权利要求1所述的有源式场发射基板，其中该导电沟道的材料包括金、银、铝、镍或铜。

3.如权利要求1所述的有源式场发射基板，其中该导电沟道的材料包括薄膜导电材料或厚膜导电材料。

4.如权利要求1所述的有源式场发射基板，其中该导电沟道的直径在10μm～5mm之间。

5.如权利要求1所述的有源式场发射基板，其中该薄膜晶体管基板还包括多个像素电极，每一像素电极与每一薄膜晶体管的该漏极电性连接。

6.如权利要求4所述的有源式场发射基板，其中每一薄膜晶体管的该漏极透过该像素电极与该场发射元件基板的每一导电沟道电性导通。

7.如权利要求1所述的有源式场发射基板，其中该薄膜晶体管基板中的该薄膜晶体管包括栅极在底部的薄膜晶体管或栅极在顶部的薄膜晶体管。

8.如权利要求1所述的有源式场发射基板，其中该薄膜晶体管基板还包括：

多条扫描线，连接该薄膜晶体管的该栅极；以及

多条数据线，连接该薄膜晶体管的该源极。

9.如权利要求1所述的有源式场发射基板，其中该场发射元件基板包括玻璃基板、陶瓷基板、塑胶基板或半导体基板。

10.如权利要求1所述的有源式场发射基板，其中该场发射源包括圆锥型发射源、表面传导电子型发射源、弹道电子表面发射型发射源、石墨发射源或纳米碳管型发射源。

11.如权利要求1所述的有源式场发射基板，其中该薄膜晶体管基板的材料包括玻璃基板、陶瓷基板、塑胶基板或半导体基板。

12.一种有源式场发射显示器，包括：

阳极基板；以及

阴极基板，与该阳极基板呈相对应配置，其中该阴极基板包括：

薄膜晶体管基板，具有多个薄膜晶体管，其中每一薄膜晶体管至少包括源极、漏极与栅极；以及

场发射元件基板，位于该薄膜晶体管基板上，该场发射元件基板具有多个导电沟道以及多个场发射源，其中每一导电沟道贯穿该场发射元件基板并分别与每一场发射源电性相连，且

该场发射元件基板的每一导电沟道分别与该薄膜晶体管基板的每一薄膜晶体管中的该源极与该漏极其中之一电性导通。

13.如权利要求12所述的有源式场发射显示器，其中该场发射元件基板中的该导电沟道的材料包括金、银、铝、镍或铜。

14.如权利要求12所述的有源式场发射显示器，其中该场发射元件基板中的该导电沟道的材料包括薄膜导电材料或厚膜导电材料。

15.如权利要求12所述的有源式场发射显示器，其中该场发射元件基板中的该导电沟道的直径在10μm～5mm之间。

16.如权利要求12所述的有源式场发射显示器，其中该薄膜晶体管基板还包括多个像素电极，每一像素电极与每一薄膜晶体管的该漏极电性连接。

17.如权利要求16所述的有源式场发射显示器，其中每一薄膜晶体管的该漏极透过该像素电极与该场发射元件基板的每一导电沟道电性导通。

18.如权利要求12所述的有源式场发射显示器，其中该薄膜晶体管基板中的该薄膜晶体管包括栅极在底部的薄膜晶体管或栅极在顶部的薄膜晶体管。

19.如权利要求12所述的有源式场发射显示器，其中该薄膜晶体管基板还包括：

多条扫描线，连接该薄膜晶体管的该栅极；以及

多条数据线，连接该薄膜晶体管的该源极。

20.如权利要求12所述的有源式场发射显示器，其中该场发射元件基板包括玻璃基板、陶瓷基板、塑胶基板或半导体基板。