[发明专利]发光元件有效

专利信息
申请号: 200810002939.6 申请日: 2008-01-11
公开(公告)号: CN101483211A 公开(公告)日: 2009-07-15
发明(设计)人: 谢明勋 申请(专利权)人: 晶元光电股份有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陶凤波
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 发光 元件
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种发光元件,尤其涉及一种具有非半导体载体的发光元件。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode;LED)为一种固态半导体元件,其至少包括一p-n结(p-n junction),此p-n结形成于p型与n型半导体层之间。当在p-n结上施加一定程度的偏压时,p型半导体层中的空穴与n型半导体层中的电子会结合而释放出光。此光产生的区域一般又称为发光区(light-emitting region)。

LED的主要特征在于尺寸小、发光效率高、寿命长、反应快速、可靠度高和色度良好,目前已经广泛使用在电器、汽车、招牌和交通号志上。随着全彩LED的问世,LED已逐渐取代传统的照明设备,如荧光灯和白热灯泡。

液晶显示器(Liquid Crystal Display;LCD)已被广泛地使用在各项电子产品,如桌上型或笔记型电脑、移动式电话、车用导航系统和电视等荧幕。一般的设计里,LCD的光源是由背光模块(Back Light Unit;BLU)提供,LED则为BLU的主要光源之一。

发明内容

本发明提供了一种发光元件,包括非半导体载体;接合层,位于非半导体载体之上;反射层,位于接合层之上;及发光叠层,位于反射层之上。其中,发光叠层包括第一束缚层;发光层,位于第一束缚层之上;及第二束缚层,位于发光层之上,其中,非半导体载体、接合层与反射层不含有半导体材料。

本发明提供了一种发光元件,包括非半导体载体;接合层,位于非半导体载体之上;反射层,位于接合层之上;及发光叠层,位于反射层之上。其中,发光叠层包括第一束缚层;发光层,位于第一束缚层之上;第二束缚层, 位于发光层之上;及第一电流扩散层,位于第二束缚层之上。其中,非半导体载体、接合层与反射层不含有半导体材料。

本发明提供了一种发光元件,包括非半导体载体;接合层,位于非半导体载体之上;反射层,位于接合层之上;图案化导电层,位于反射层之上,且被介电层围绕;及发光叠层,位于图案化导电层之上。其中,发光叠层包括第一束缚层;发光层,位于第一束缚层之上;第二束缚层,位于发光层之上;及第一电流扩散层,位于第二束缚层之上。其中,非半导体载体、接合层、反射层、图案化导电层与介电层不含有半导体材料。

本发明提供了一种发光元件,包括非半导体载体;接合层,位于非半导体载体之上;反射层,位于接合层之上;图案化导电层,位于反射层之上,且被介电层包围;及发光叠层,位于图案形导电层之上。其中,发光叠层包括第一束缚层;发光层,位于第一束缚层之上;第二束缚层,位于发光层之上;第一电流扩散层,位于第二束缚层之上;导电接触层,位于第一电流扩散层之上;及第二电流扩散层,位于导电接触层之上。其中,非半导体载体、接合层、反射层、图案化导电层与介电层不含有半导体材料。

附图说明

图1A~1C显示本发明一实施例的发光元件的剖面图。

图2A~2C显示本发明另一实施例的半导体发光装置的剖面图。

图3A~3D显示本发明另一实施例的半导体发光装置的剖面图。

图4A~4D显示本发明另一实施例的半导体发光装置的剖面图。

图5A~5D显示本发明另一实施例的半导体发光装置的剖面图。

附图标记说明 

非半导体载体    10,20,30,40,50

接合层          11,21,31,41,51

反射层          12,22,32,42,52

图案化导电层    13,23,33,43,53

介电层          14,24,34,44,54

发光叠层        15,25,35,45,55

第一束缚层      151,251,351,451,551

发光层            152,252,352,452,552

第二束缚层        153,253,353,453,553

第一电流扩散层    254,454,554

导电接触层        354,455,555

第二电流扩散层    456,556

保护层            16,26,36,46,56

具体实施方式

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