[发明专利]用于屏蔽弧光灯的一部分的盖子、弧光灯和光刻设备有效

专利信息
申请号: 200810002968.2 申请日: 2008-01-11
公开(公告)号: CN101220927A 公开(公告)日: 2008-07-16
发明(设计)人: 马赛尔·马塞基斯·西奥多·玛丽·戴里奇斯;亨瑞克斯·威尔海尔姆斯·玛丽安·范布艾尔;瑞恩·亚历山大·东米尼克斯·图森特;罗尔·玛腾·西蒙·诺普斯 申请(专利权)人: ASML荷兰有限公司
主分类号: F21V7/04 分类号: F21V7/04;G03F7/20
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 王文生
地址: 荷兰维*** 国省代码: 荷兰;NL
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 用于 屏蔽 弧光灯 一部分 盖子 光刻 设备
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种用于屏蔽弧光灯的一部分的盖子,所述弧光灯例如构成光刻设备的一部分。

背景技术

光刻设备是一种将所需图案应用到衬底的目标部分上的机器。例如,可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下,可以将可选地称为掩模或掩模版(reticle)的图案形成装置用于产生对应于所述IC的单层的电路图案。可以将该图案成像到衬底(例如,硅晶片)上的目标部分(例如,包括一个或多个管芯的部分)上,所述衬底具有一层辐射敏感材料(抗蚀剂)。通常,单独的衬底将包含被连续曝光的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括:所谓步进机,在所述步进机中,通过将全部图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分;以及所谓扫描器,在所述扫描器中,通过利用辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。

图案的曝光采用辐射源(例如汞等离子体弧光灯等)实现。这种灯通过对在两个电极(即阳极和阴极)之间的等离子体进行放电而生成辐射。阳极和阴极之间的区域可以尺寸相对较小(即大约2至7mm)。

典型地,阳极和阴极被密封在外壳中。所述外壳通常由诸如石英等材料制成。通常,越高质量的石英用于发射越短波长辐射的灯。阴极被形成为小点,以确保可以获得用于电子有效发射的相对高的温度。相反,阳极尺寸较大,以便尽可能多地散发电子轰击所产生的热量。出于安全的原因,因为这种灯产生相对高的温度,所以在阳极处设置热电偶,以防止过热。

发明内容

在一些应用中,例如光刻设备中的应用,弧光灯结合光纤和/或反射器使用,所述光纤和/或反射器适当地被设置以用于采集发射出的辐射,并将所述辐射改变方向到所需路径上。在这种应用中,一部分辐射被改变方向以朝向热电偶,造成热电偶和热电偶周围的环境的温度上升。结果,热电偶在一定温度下相对于改变方向的辐射激励,且不纠正灯的当前工作温度。因此,热电偶具有在可安全操作的温度下使灯钝化的趋势。于是,这造成当灯处于冷却时,设备经历不需要的休止周期。

根据一个方面,提供一种用于屏蔽弧光灯的一部分的盖子,所述盖子包括反射表面,所述反射表面用于防止,或基本减轻灯的一部分对于电磁辐射的暴露。

根据一个方面,提供一种具有如上段所述的盖子的灯。所述盖子可以与灯整体制成。

根据一个方面,提供一种包括弧光灯的光刻设备,所述弧光灯具有盖子,所述盖子包括反射表面,所述反射表面设置用于屏蔽弧光灯的一部分,以防止或基本减轻灯的一部分对于电磁辐射的暴露。

附图说明

在此仅借助示例,参照所附示意图对本发明的实施例进行描述,在所附示意图中,相同的附图标记表示相同的部分,且其中:

图1示出根据本发明的实施例的光刻设备;

图2示出公知的光源结构;

图3示出根据本发明的实施例的盖子;以及

图4示出根据本发明的实施例的灯。

具体实施方式

图1示意性地示出根据本发明的特定实施例的光刻设备。所述设备包括:

照射系统(照射器)IL,用于调节辐射束PB;

支撑结构(例如支架结构)MT,用于支撑图案形成装置(例如掩模)MA并与用于相对于PL精确地定位图案形成装置的第一定位装置PM相连;

衬底台(例如晶片台)WT,用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W,并与配置用于相对于PL精确地定位衬底的第二定位装置PW相连;以及

投影系统(例如折射式投影透镜)PL,用于将由图案形成装置MA赋予辐射束PB的图案成像到衬底W的目标部分C(例如包括一根或多根管芯)上。

如这里所示的,所述设备是透射型的(例如,采用透射式掩模)。替代地,所述设备可以是反射型的(例如,采用上述类型的可编程反射镜阵列)。

这里所使用的术语“图案形成装置”应该被广义地理解为能够用于将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束、以便在衬底的目标部分上形成图案的装置。应当注意,被赋予辐射束的图案可能不与在衬底目标部分上所需的图案完全相对应。通常,被赋予辐射束的图案将与在目标部分上形成的器件中的特定的功能层相对应,例如集成电路。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于ASML荷兰有限公司,未经ASML荷兰有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810002968.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top