[发明专利]纳米壁太阳能电池和光电子器件

权利要求书

1.光生伏打器件(100)，其包含：

有至少2个表面的衬底(102)；

设置在衬底(102)至少2个表面中至少之一上的纳米壁(101)结构，其中纳米壁(101)结构包含连接壁结构的网络；和

共形地沉积在纳米壁(101)结构上的至少一层(103)，其中该至少一层(103)是光活性结的至少一部分。

2.权利要求1的光生伏打器件(100)，其中纳米壁(101)结构以双面布置存在于衬底(102)上。

3.权利要求1的光生伏打器件(100)，其中纳米壁(101)结构是导电的。

4.权利要求1的光生伏打器件(100)，其中纳米壁(101)结构包含光活性结的元件。

5.权利要求1的光生伏打器件(100)，其中纳米壁(101)结构置于光活性结的上面，其中光活性结包含设置在纳米壁(101)与衬底(102)之间的多层膜。

6.权利要求1的光生伏打器件(100)，其中纳米壁(101)结构与衬底(102)平面成约0～85°角。

7.权利要求1的光生伏打器件(100)，其中纳米壁(101)结构包含与衬底(102)成无规角度的无规非-互穿纳米壁(101)。

8.权利要求1的光生伏打器件(100)，其中纳米壁(101)结构是具有第一类掺杂的半导体。

9.权利要求1的光生伏打器件(100)，其中至少一层(103)是半导体材料的无定形层，在无定形层与纳米壁(101)结构之间有界面，其中无定形层在组成上具有梯度：自界面上基本本征至无定形层对面基本导电，其中无定形层的梯度组成靠第二类掺杂提供。

10.权利要求1的光生伏打器件(100)，其中至少一层(103)选自下列一组：纳米结晶层和无定形层。

11.权利要求1的光生伏打器件(100)，其中至少一层(103)是包含多个光活性结的多层膜(403，303)。

12.权利要求11的光生伏打器件(100)，其中多层膜还包含至少1个隧道结(440)。

13.权利要求1的光生伏打器件(100)，还包含：

共形地设置在至少一层(103)上的透明导电材料(TCM)(104)。

14.权利要求13的光生伏打器件(100)，还包含：

可将光生伏打器件(100)连接到外电路的上、下接头，其中上接头设置在TCM(104)上，而下接头设置在纳米壁(101)结构对面的衬底(102)表面上或集成在衬底(102)内。

15.权利要求1的光生伏打器件(100)，还包含：

可将光生伏打器件(100)连接到外电路的上、下接头，其中上接头直接设置在至少一层(103)的上层上，而下接头设置在纳米壁(101)结构对面的衬底(102)表面上或集成在衬底(102)内。

16.包含权利要求1的至少一个光生伏打器件(100)的太阳能电池板，其中太阳能电池板把这类器件(100)与其周围的大气环境隔开并能产生电力。

17.包含权利要求1的至少一个光活性纳米壁基结构的光电子器件。