[发明专利]半导体激光器模块无效
| 申请号： | 200810003029.X | 申请日： | 2008-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN101222115A | 公开（公告）日： | 2008-07-16 |
| 发明（设计）人： | 伊藤彰浩;栗原佑介;清水淳一;山田英行 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00;G02B6/42 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 关兆辉;陆锦华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 模块 | ||
1.一种半导体激光器模块，包括：
半导体激光器；
透镜；
光纤插芯，具有倾斜的切割面，从所述半导体激光器发射并穿过所述透镜的发射光入射到所述倾斜的切割面，并且将所述切割面布置在沿着所述光纤插芯的光轴方向偏离透镜焦点的位置处；以及
固定的光衰减器，布置在所述半导体激光器的发射光的路径上，并且具有相对于所述半导体激光器的光轴倾斜的入射面。
2.根据权利要求1所述的半导体激光器模块，其中所述固定的光衰减器布置在所述倾斜的切割面上。
3.根据权利要求2所述的半导体激光器模块，其中所述固定的光衰减器是隔离器，所述隔离器包括在其入射侧上的偏振器，所述入射侧是从所述半导体激光器发出的发射光入射到的那一侧。
4.根据权利要求3所述的半导体激光器模块，其中所述偏振器的偏振方向与从所述半导体激光器发出的发射光的偏振方向之间的夹角为45°。
5.根据权利要求3或4所述的半导体激光器模块，其中所述半导体激光器是分布反馈式。
6.根据权利要求2所述的半导体激光器模块，其中所述固定的光衰减器是偏振器。
7.根据权利要求2所述的半导体激光器模块，其中所述固定的光衰减器是中性密度滤光器。
8.根据权利要求2所述的半导体激光器模块，其中所述固定的光衰减器是介电膜。
9.根据权利要求1所述的半导体激光器模块，其中所述固定的光衰减器是形成在所述透镜上的介电膜。
10.根据权利要求1所述的半导体激光器模块，其中所述固定的光衰减器是形成在所述透镜上的中性密度滤光器。
11.根据权利要求6到10中任一项所述的半导体激光器模块，其中所述半导体激光器是法布里一珀罗型。
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