[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于：

包括：

第一栅电极，隔着第一栅极绝缘膜形成在衬底的第一活性区域上，

第二栅电极，隔着第二栅极绝缘膜形成在上述衬底的第二活性区域上；

上述第一栅电极的栅极长度比上述第二栅电极的栅极长度短，

上述第一栅电极全硅化物化了，

上述第二栅电极中至少与上述第二栅极绝缘膜接触的部分没有硅化。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

上述第一栅电极的栅极长度在最小设计规范长度以上且在该最小设计规范长度的两倍以下。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

上述第二栅电极，至少具有形成在该第二栅电极上部的硅化物层。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于：

上述第二栅电极，具有形成在上述硅化物层下侧的硅化物化阻碍层。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于：

上述硅化物化阻碍层，是由具有比上述硅化物层的硅化物化温度还高的高熔点金属、TiN、金属氧化物、或者是添加了氮或氧的硅形成的。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

上述第一栅极绝缘膜是由高介电系数材料形成的。

7.根据权利要求1至6的任何一项所述的半导体装置，其特征在于：

上述第二栅电极中至少与上述第二栅极绝缘膜接触的部分是由硅形成的。

8.一种半导体装置的制造方法，其特征在于：

包括：

工序a，在具有第一活性区域及第二活性区域的衬底上形成含硅膜，

工序b，是以上述含硅膜为图案，在上述第一活性区域上形成具有第一栅极长度的第一栅电极的同时，在上述第二活性区域上形成具有比第一栅极长度长的第二栅极长度的第二栅电极，

工序c，全硅化物化上述第一栅电极；

在上述工序c中，上述第二栅电极的至少与上述第二栅极绝缘膜接触的部分没有被硅化物化。

9.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

上述工序c中，在由硅化物化防止膜覆盖上述第二栅电极的状态下，全硅化物化上述第一栅电极。

10.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

还包括在上述工序b和上述工序c之间的，硅化物化上述第二栅电极的上部的工序。

11.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

在上述工序a中，在位于上述第二活性区域上的上述含硅膜内部形成硅化物化阻碍层，

在上述工序c中，在全硅化物化上述第一栅电极的同时，硅化物化上述第二栅电极中上述硅化物化阻碍层的上侧的部分。

12.根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

在上述工序a中，通过在形成上述含硅膜后，对位于上述第二活性区域上的上述含硅膜进行有选择地注入杂质，形成上述硅化物化阻碍层。

13.根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

在上述工序a中，在上述衬底上形成了成为上述含硅膜的下层的第一含硅膜后，在位于上述第二活性区域上的上述第一含硅膜上形成上述硅化物化阻碍层，其后，在包含上述硅化物化阻碍层上的上述第一含硅膜上形成了成为上述含硅膜的上层的第二含硅膜。

14.根据权利要求8至13的任何一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

还包括在上述工序a之前的，在至少上述第一活性区域上形成由高介电系数材料形成的栅极绝缘膜的工序。