[发明专利]静电放电防护架构、元件及元件的制作方法

权利要求书

1.一种静电放电防护元件，用以在包含一薄膜像素阵列的液晶显示器中提供静电防护，包含：

一玻璃基板(glass substrate)；

一半导体基板，形成于该玻璃基板上；

一第一离子掺杂区；

一第二离子掺杂区；

一第三离子掺杂区；以及

一第四离子掺杂区；

其中该第一、第二、第三与第四离子掺杂区以串联形式形成于该半导体基板中，该第一、第二、第三与第四离子掺杂区分别可为P型离子掺杂、N型离子掺杂与本质(intrinsic)区域其中之一，且相邻的两个掺杂区类型不同。

2.根据权利要求1所述的静电放电防护元件，其特征在于，更包含：

一栅极；以及

一绝缘层，形成于该栅极与这些第一、第二、第三与第四离子掺杂区之间，

用以绝缘该栅极与这些第一、第二、第三与第四离子掺杂区；

其中该栅极位于这些第一、第二、第三与第四离子掺杂区至少其中之一的上方。

3.根据权利要求2所述的静电放电防护元件，其特征在于，该栅极可是一金属栅极。

4.根据权利要求1所述的静电放电防护元件，其特征在于，该半导体基板可是非晶硅层或低温多晶硅层。

5.一种静电放电防护元件制作方法，该静电放电防护元件用以在包含薄膜晶体管的液晶显示器中提供静电防护，该制作方法包含下列步骤：

形成一半导体基板于一玻璃基板上；

定义第一、第二、第三与第四离子掺杂区于该半导体基板之中；以及

分别掺杂这些第一、第二、第三与第四离子掺杂区为P型离子掺杂、N型离子掺杂与本质区域其中之一；

其中，这些第一、第二、第三与第四离子掺杂区与相邻的掺杂区具有不同掺杂。

6.根据权利要求5所述的静电放电防护元件制作方法，其特征在于，该半导体基板可为非晶硅层或低温多晶硅层。

7.根据权利要求5所述的静电放电防护元件制作方法，其特征在于，更包含下列步骤：

形成一绝缘层以包覆这些第一、第二、第三与第四离子掺杂区；以及

形成一栅极于该绝缘层上方。

8.根据权利要求7所述的静电放电防护元件制作方法，其特征在于，该栅极可为任何可导电物质形成的栅极。