[发明专利]形成深坑区域的方法及其在制作光学记录介质中的应用

权利要求书

1.一种用于形成至少一坑(1)的方法，包括下述连续步骤：

局域化处理由能够改变物理状态的材料形成的第一层(3)的至少一区域(3a)，以使所述区域(3a)从第一物理状态转变为第二物理状态；以及

通过所述第一层(3)的自由表面来选择性蚀刻所述区域(3a)，

其特征在于包括：在局域化处理步骤之前，形成由所述第一层和第二层(4)形成的叠层(2)的步骤，所述第二层(4)是由处于其第二物理状态的所述材料形成；以及继续所述选择性蚀刻步骤，直至最初由所述第一层(3)的经过处理的区域(3a)覆盖的所述第二层(4)的区域(4b)被除去。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，通过在基板(5)上形成所述第二层(4)且随后沉积所述第一层(3)，由此形成所述叠层(2)。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，通过在所述基板(5)上沉积处于其第一物理状态的所述材料，且随后处理所述材料以使其转变为其第二物理状态，由此形成所述第二层(4)。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，通过在基板(5)上沉积由处于其第一物理状态的所述材料制成的预备层(7’)，且随后通过所述基板(5)的自由表面来执行受控处理以使所述预备层(7’)的一部分转变为所述第二物理状态，其中所述预备层(7’)的所述部分形成所述第二层(4)，由此形成所述叠层(2)。

5.如权利要求2至4任意一项所述的方法，其特征在于，在形成所述叠层之前，在所述基板(5)上沉积一增强所述材料的状态变化的中间层(9)。

6.如权利要求1至4任意一项所述的方法，其特征在于，所述材料为通过热作用可以从亚稳热力学状态转变为稳定热力学状态的材料。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述材料为相变材料。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述相变材料为选自由锗、锑、碲、铟、硒、铋、银、镓、锡、铅和砷组成的组的至少两种元素的合金。

9.如权利要求1至4任意一项所述的方法在制作光学记录介质中的应用。