[发明专利]电力半导体装置

权利要求书

1.一种电力半导体装置，包括：第一导电型的半导体基板表面层中的另一导电型的区域；具有接触所述另一导电型的区域的金属电极的活性区域；以及围绕所述活性区域的边缘终止结构，所述边缘终止结构具有多个环状其它导电型保护环，覆盖所述边缘终止结构的表面的第一绝缘膜，以及环状场板，每个环状场板经由位于所述多个环状其它导电型保护环的顶上的所述第一绝缘膜而被设置，

具中所述环状场板包括：

包括导电薄膜的第一场板和包括金属膜的第二场板；并且

所述多个环状其它导电型保护环包括：

第一类环状其它导电型保护环，所述第一场板经由所述第一绝缘膜设置在所述第一类环状其它导电型保护环上；以及

第二类环状其它导电型保护环，包括所述第一场板和所述第二场板的双层场板设置在所述第二类环状其它导电型保护环上，所述第二场板经由第二绝缘膜设置在所述第一场板的顶上。

2.如权利要求1所述的电力半导体装置，其中双层场板中的所述第一场板在以直角横切场板的环形形状的方向上，具有比所述第二场板大的宽度。

3.如权利要求1所述的电力半导体装置，其中在所述多个环状其它导电型保护环、所述第一场板和所述第二场板之间以相同电位建立接触的接触部，被设置在所述多个环状其它导电型保护环中的每个的至少一个位置中。

4.如权利要求3所述的电力半导体装置，其中所述接触部由通过将所述第二场板埋设在蚀刻孔上而覆盖所述第二场板的结构形成，所述蚀刻孔穿透所述第二绝缘膜、所述第一场板和所述第一绝缘膜并到达环状其它导电型保护环的表面，使得所述第二绝缘膜中的蚀刻孔径大于所述第一场板的蚀刻孔径。

5.如权利要求4所述的电力半导体装置，其中所述接触部设置在所述边缘终止结构的拐角部分中，所述边缘终止结构围绕所述活性区域，并且包括四个直线边和以弧状连接四个直线边的拐角部分。

6.如权利要求5所述的电力半导体装置，其中位于所述边缘终止结构的拐角部分中的所述多个环状其它导电型保护环的弧状部分的宽度大于所述边缘终止结构的四个直线边部分的宽度。

7.如权利要求6所述的电力半导体装置，其中所述接触部由第一接触部或第二接触部中的至少一个构成，

所述第一接触部通过将所述第二场板埋设在蚀刻孔上而覆盖所述第二场板，所述蚀刻孔穿透所述第二绝缘膜、所述第一场板和所述第一绝缘膜并到达环状其它导电型保护环的表面，使得所述第二绝缘膜中的蚀刻孔径小于所述第一场板的蚀刻孔径；

所述第二接触部包括环状其它导电型保护环的表面上的所述第一绝缘膜、所述第一场板和所述第二绝缘膜，并且通过将所述第二场板埋设在仅所述第二绝缘膜通过其而开口的蚀刻孔上而覆盖所述第二场板。

8.如权利要求7所述的电力半导体装置，其中所述第一场板由具有通过离子注入或气体掺杂而提供的低电阻的多晶硅形成。

9.如权利要求7所述的电力半导体装置，其中所述第二场板通过与在所述活性区域中形成的金属电极相同类型的金属膜形成。

10.如权利要求7所述的电力半导体装置，其中所述第一绝缘膜是热氧化膜。

11.如权利要求7所述的电力半导体装置，其中所述第二绝缘膜是通过化学气相沉积方式沉积的绝缘膜。

12.如权利要求8所述的电力半导体装置，其中所述第二绝缘膜通过氧化由多晶硅形成的所述第一场板而形成。

13.如权利要求4所述的电力半导体装置，其中露出所述第一场板的表面的区域被设置在所述接触部中形成的蚀刻孔中的环状其它导电型保护环的表面的中央。

14.如权利要求13所述的电力半导体装置，其中所述接触部设置在所述边缘终止结构的拐角部分中，所述边缘终止结构围绕所述活性区域，并且包括四个直线边和以弧状连接四个直线边的拐角部分。

15.如权利要求14所述的电力半导体装置，其中位于所述边缘终止结构的拐角部分中的所述多个环状其它导电型保护环的弧状部分的宽度大于所述边缘终止结构的四个直线边部分的宽度。