[发明专利]垂直磁记录介质及使用该垂直磁记录介质的硬盘驱动器

权利要求书

1.一种垂直磁记录介质，包括基底、磁记录层和保护层，其中

该磁记录层包括垂直记录层、磁耦合层和写协助层；

该垂直记录层是设置在所述磁耦合层和所述基底之间的、包含有氧化物的Co合金层；

该磁耦合层是设置在所述垂直记录层和所述写协助层之间的铁磁层；

该写协助层是设置在所述磁耦合层和所述保护层之间的铁磁层；

该磁耦合层的饱和磁化强度低于所述垂直记录层的或所述写协助层的饱和磁化强度；以及

该磁耦合层的厚度是1nm或以上和3nm或以下。

2.根据权利要求1的垂直磁记录介质，其中，该磁耦合层的饱和磁化强度是300kA/m或更低。

3.根据权利要求1的垂直磁记录介质，其中，该磁耦合层包含氧化物。

4.根据权利要求3的垂直磁记录介质，其中，该磁耦合层中包含的氧化物是氧化硅、氧化钽或氧化钛之一或其混合物。

5.根据权利要求1的垂直磁记录介质，其中，该写协助层中包含的氧化物的浓度低于所述垂直记录层中的氧化物的浓度，或者该写协助层不包含氧化物。

6.根据权利要求1的垂直磁记录介质，其中，该磁耦合层的饱和磁化强度和厚度的乘积小于所述垂直记录层的饱和磁化强度和厚度的乘积，并且小于所述写协助层的饱和磁化强度和厚度的乘积。

7.根据权利要求1的垂直磁记录介质，其中

该垂直记录层包含Co、Cr、Pt和氧化硅；

该磁耦合层包含Co和Cr；以及

该写协助层包含Co、Cr、Pt和B。

8.根据权利要求1的垂直磁记录介质，还包括：

软磁底层，其具有互相反铁磁地耦合的第一软磁膜和第二软磁膜、以及设置在该两者之间的中间层；以及

设置在该软磁底层和磁记录层之间的中间层。

9.一种垂直磁记录介质，包括基底、磁记录层和保护层，其中

该磁记录层包括垂直记录层、磁耦合层和写协助层；

该垂直记录层是包含氧化物的Co合金层；

该磁耦合层是设置在所述垂直记录层和所述写协助层之间的铁磁层；

该写协助层是包括Co合金的铁磁层，该Co合金至少包含Cr和Pt，

该磁耦合层是包括Co和Cr作为主要成分的合金，Co含量为70at％或更多和75at％或以下；以及

该磁耦合层的厚度是1nm或以上和3nm或以下。

10.根据权利要求9的垂直磁记录介质，其中

该第一元素组是包括Pt、B、Mo、Ta、V、Nb和Ru的一组元素，其中

除Co和Cr之外，该磁耦合层还包含选自所述第一组的至少一种元素，并且该至少一种元素的总含量是10at％或以下。

11.根据权利要求9的垂直磁记录介质，其中

该磁耦合层包含氧化物。

12.根据权利要求9的垂直磁记录介质，其中

该写协助层中包含的氧化物的浓度低于所述垂直记录层中的氧化物的浓度，或者该写协助层不包含于氧化物。

13.根据权利要求9的垂直磁记录介质，其中

该垂直记录层包含氧化硅、Co、Pt和Cr，以及

该写协助层包含Co、Cr、Pt和B。

14.根据权利要求9的垂直磁记录介质，还包括：

软磁底层，该软磁底层包含互相反铁磁地耦合的第一软磁膜和第二软磁膜、以及设置在该两者之间的中间层；以及

设置在所述软磁底层和所述磁记录层之间的中间层。

15.一种硬盘驱动器，包括：

包括写主磁极、辅助返回磁极和尾屏蔽的磁头；以及

包括基底、磁记录层和保护层的垂直记录介质，该磁记录层具有垂直记录层、磁耦合层和写协助层，其中

该垂直记录层是包含氧化物的Co合金层；

该磁耦合层是设置在所述垂直记录层和所述写协助层之间的铁磁层；

该写协助层是包括Co合金的铁磁层，该Co合金至少包含Cr和Pt；

该磁耦合层的饱和磁化强度低于所述垂直记录层的或所述写协助层的饱和磁化强度；以及

该磁耦合层的厚度是1nm或以上和3nm或以下。