[发明专利]基板处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及基板处理装置，尤其是涉及具备通过卡止在处理容器而构成基板的处理室的上盖的基板处理装置。

背景技术

在由硅晶片(以下简称“晶片”)制造半导体装置的半导体装置的制造方法中，顺次反复执行下列工序：在晶片的表面形成导电膜、绝缘膜的CVD(Chemical Vapor Deposition)等成膜工序；在被形成的导电膜、绝缘膜上形成所希望图形的光致抗蚀剂(photoresist)层的平板印刷(lithography)工序；和将光致抗蚀剂层作为掩膜使用通过由处理气体生成等离子体将导电膜形成为栅电极，或者在绝缘膜上形成配线沟、连接孔的蚀刻工序。

例如，在某个半导体装置的制造方法中，有对在晶片上形成的多晶硅层进行蚀刻的工序。在这样的情况下，在晶片上形成的沟槽(沟)的侧面形成以SiO₂为主要成分的堆积膜。

但是，由于堆积膜会引起半导体装置的不良状况，例如，成为导通不良的原因，所以需要除去。作为堆积膜的除去方法，公知的是对晶片实施COR(Chemical Oxide Removal)处理和PHT(Post HeatTreatment)处理的基板处理方法。COR处理是使堆积膜的SiO₂与气体分子发生化学反应而生成生成物的处理，PHT处理是将实施过COR处理的晶片加热，通过COR处理的化学反应使在晶片上生成的生成物气化·升华从而从该晶片上除去的处理。

作为实施由该COR处理和PHT处理构成的基板处理方法的基板处理装置，公知的是具备化学反应处理装置，和连接在该化学反应处理装置上的热处理装置的基板处理装置(例如，参照专利文献1)。

通常，上述的化学反应处理装置包括，收容晶片的处理室(腔室)，向该腔室内供给作为处理气体的氟化氢气体等的作为气体供给部的喷淋头，载置晶片的载置台，喷淋头以与载置在载置台上的晶片相对的方式配置。另一方面，腔室具有可开闭的上盖。由此，喷淋头安装在腔室的上盖，向喷淋头导入氟化氢气体等的导入管与腔室的上盖连接。

但是，由于氟化氢分子聚合化，即氟化氢分子彼此之间链状结合，产生依赖于温度·压力变化的氟化氢分子的聚合离解引起的急剧的温度降低，因此，存在氟化氢气体在向化学反应处理装置的腔室内的导入通路上出现液化的情况。并且，氟化氢气体在大气压(760Torr)下沸点为19.5℃(大约常温)，在大气压附近在常温下出现液化。

现有技术中，在使用上述氟化氢气体的化学反应处理装置中，通过对构成向腔室内供给氟化氢气体的导入通路的全部部件进行温度调整，来防止氟化氢气体在该导入通路上出现液化。

但是，在腔室的上盖附近，上述的导入管错综复杂，为了对包括上盖附近在内全部导入管进行温度调整，用于温度调整的部件的个数增加。进一步，为了对腔室的上盖进行开闭，需要将与腔室的上盖连接的导入管分离的结构，需要用于构成可分离结构的部件。

但是，当在腔室的上盖上连接导入管时，构成基板处理装置的部件的个数增加。

专利文献1：日本特开2005-39185号公报

发明内容

本发明的目的在于提供一种能够减少部件个数的基板处理装置。

为了达成上述目的，本发明第一方面的基板处理装置，具备收容基板的处理容器，和通过与上述处理容器接合而构成上述基板处理室的上盖，上述上盖，具备向上述处理室内供给处理气体的气体供给部，同时具备在内部形成向该气体供给部导入上述处理气体的第一气体导入孔，该第一气体导入孔的一端与上述气体供给部连接，上述处理容器在内部形成从该气体供给源导入该处理气体的第二气体导入孔，该第二气体导入孔的一端与上述处理气体的供给源连接，在上述上盖与上述处理容器接合时，上述第一气体导入孔的另一端与上述第二气体导入孔的另一端接合。

本发明第二方面的基板处理装置，在本发明的第一方面的基板处理装置中，具备对上述上盖进行温度调整的第一调温机构，和对上述处理容器进行温度调整的第二调温机构。

为了达成上述目的，本发明第三方面的基板处理装置，具备收容基板的处理容器，和通过与上述处理容器接合而构成上述基板处理室的上盖，上述上盖，具备向上述处理室内供给处理气体的气体供给部，同时具备在内部形成向该气体供给部导入上述处理气体的第一气体导入孔，该第一气体导入孔的一端与上述气体供给部连接，上述处理容器安装有从该气体供给源导入该处理气体的气体导入管，该气体导入管的一端与上述处理气体的供给源连接，在上述上盖与上述处理容器接合时，上述气体导入孔的另一端与上述气体导入管的另一端接合。