[发明专利]表面发射半导体激光器及其制造方法

权利要求书

1.一种表面发射半导体激光器，所述表面发射半导体激光器包括：

基板；

下反射镜，其形成在所述基板上；

有源层，其形成在所述下反射镜上并发射光；

上反射镜，其形成在所述有源层上，在所述上反射镜与所述下反射 镜之间形成谐振器；

光学模式控制层，其形成在所述下反射镜和所述上反射镜之间，所 述光学模式控制层中形成有开口，并且所述光学模式控制层选择性吸收 或反射掉在所述有源层中发射的光，所述光学模式控制层在光学上控制 激光的模式；以及

电流限制层，其形成在所述下反射镜和所述上反射镜之间，限制在 驱动期间所施加的电流，

其中所述下反射镜具有第一导电类型，而所述光学模式控制层具有 第二导电类型，并且在所述光学模式控制层和所述上反射镜之间形成电 极，该电极被电耦合到所述光学模式控制层，

其中所述表面发射半导体激光器还包括中间反射镜，所述光学模式 控制层经由所述中间反射镜被布置在所述有源层的附近。

2.根据权利要求1所述的表面发射半导体激光器，其中从所述有源 层发射的光的一部分通过所述开口，而其余的光被所述光学模式控制层 吸收或反射。

3.根据权利要求1或2所述的表面发射半导体激光器，其中所述光 学模式控制层由具有与所述有源层匹配的晶格常数的半导体层构成。

4.根据权利要求1或2所述的表面发射半导体激光器，其中所述光 学模式控制层包括光吸收层。

5.根据权利要求1或2所述的表面发射半导体激光器，其中所述光 学模式控制层包括GaAs层。

6.根据权利要求1或2所述的表面发射半导体激光器，其中所述电 流限制层包括导电部分和相对于所述导电部分具有较高电阻的高反射部 分，所述导电部分被所述高反射部分包围，并且所述光学模式控制层的 所述开口的中心与所述导电部分的中心一致。

7.根据权利要求6所述的表面发射半导体激光器，其中所述光学模 式控制层的所述开口的直径小于所述电流限制层的所述导电部分的直 径。

8.根据权利要求6所述的表面发射半导体激光器，其中所述电流限 制层的所述高反射部分是选择性氧化区域。

9.根据权利要求1或2所述的表面发射半导体激光器，其中所述光 学模式控制层的所述开口形成为圆形。

10.根据权利要求1或2所述的表面发射半导体激光器，其中所述 光学模式控制层的所述开口形成为具有类似缝隙的形状。

11.根据权利要求1或2所述的表面发射半导体激光器，其中所述 光学模式控制层的所述开口形成为关于所述开口的中心不对称的多个开 口。

12.根据权利要求1或2所述的表面发射半导体激光器，其中所述 光学模式控制层的所述开口形成为关于所述开口的中心点对称的多个开 口。

13.根据权利要求1或2所述的表面发射半导体激光器，其中根据 将被发射的激光的波长选择所述光学模式控制层的所述开口的直径。

14.一种模块，所述模块包括：

根据权利要求1所述的表面发射半导体激光器；

电耦合到所述表面发射半导体激光器的电连接端子；以及

将从所述表面发射半导体激光器发射的光注入的光学部件。

15.一种光源，所述光源包括：

根据权利要求1所述的表面发射半导体激光器；以及

辐照单元，其通过至少包含透镜或镜子的光学部件辐照从所述表面 发射半导体激光器发射的光。

16.一种数据处理装置，所述数据处理装置包括：

根据权利要求14所述的模块；以及

发送从表面发射半导体激光器发射的光的发送单元。