[发明专利]半导体元件的预烧装置及其预烧方法

权利要求书

1.一种具有多舱结构的半导体元件预烧装置，其特征在于，包括：

一主预烧舱，该主预烧舱内配置有多个预烧板，每一该预烧板上设有多个测试插座，各测试插座可容置一半导体元件；

一缓冲预烧舱，该缓冲预烧舱配置有一第一闸门与一第二闸门，同时该缓冲预烧舱可通过该第一闸门与该主预烧舱相通；

一移载装置，该移载装置可移载该多个预烧板并移动于该第一闸门与该第二闸门之间；以及，

一控制装置，该控制装置可分别控制该主预烧舱及该缓冲预烧舱的测试以及该移载装置。

2.如权利要求1所述的具有多舱结构的半导体元件预烧装置，其特征在于，其中该缓冲预烧舱的容积小于该主预烧舱。

3.如权利要求1所述的具有多舱结构的半导体元件预烧装置，其特征在于，其中该控制装置是电性连接各该预烧板，而可通过各预烧板及其上的多个测试插座，对各半导体元件进行电性测试，并计算其故障率。

4.一种具有多舱结构的半导体元件预烧方法，其特征在于，至少包含：

提供一主预烧舱及一缓冲预烧舱，该主预烧舱内设有至少一插槽基板，各插槽基板上设有多个插槽；

提供多个预烧板，该预烧板上设有多个测试插座，各测试插座内容置有一半导体元件；

移载该预烧板至缓冲预烧舱中；

执行一预热程序，是将该缓冲预烧舱加温并使该预烧板上的各个半导体元件的温度能达到预烧的温度；

移载该预烧板，将该缓冲预烧舱内的各预烧板移入该主预烧舱；

进行电性测试，是由控制装置提供电性测试信号对各半导体元件进行电性测试； 

计算故障率，该控制装置接收由各半导体元件所回传的测试信号，由此计算该各半导体元件的故障率；及

判断是否结束测试，是由该控制装置判断该多个预烧板是否结束预烧测试。

5.如权利要求4所述的具有多舱结构的半导体元件预烧方法，其特征在于，其中该控制装置判断是否结束预烧测试的方式包括比对该各半导体元件的一故障率成长曲线与一故障率经验比对线。

6.一种具有多舱结构的半导体元件预烧方法，是在一控制装置判断某些预烧板已结束预烧测试之后，该控制装置继续执行的流程，其特征在于，该流程包括：

移载该已结束预烧测试的预烧板，是将预烧板从主预烧舱移至缓冲预烧舱之中；

进行温度调整，将缓冲预烧舱中的温度进行降温；

移出该已结束预烧测试的预烧板，是将该预烧板移送至缓冲预烧舱之外；

提供一待测预烧板，并送进缓冲预烧舱之中；

调整缓冲预烧舱内的温度，以使缓冲预烧舱中的温度能达到预烧的温度；

移载该待测预烧板至主预烧舱中；

进行电性测试，提供电性测试信号，对各半导体元件进行电性测试；

计算故障率，由该控制装置接收由各半导体元件所回传的测试信号，由此计算该各半导体元件的故障率；及

判断是否结束测试，是由该控制装置判断该多个预烧板是否结束预烧测试。

7.如权利要求6所述的具有多舱结构的半导体元件预烧方法，其特征在于，其中该控制装置判断是否结束预烧测试的方式包括比对该各半导体元件的一故障率成长曲线与一故障率经验比对线。

8.一种具有多舱结构的半导体元件预烧装置，其特征在于，包括：

一主预烧舱，该主预烧舱内配置有至少一预烧板，该预烧板上设有多个测试插座，各测试插座可容置一半导体元件； 

一升温缓冲预烧舱，该升温缓冲预烧舱配置有一第一闸门与一第二闸门，同时该升温缓冲预烧舱可通过一第一闸门与该主预烧舱相通；

一降温缓冲预烧舱，该降温缓冲预烧舱配置有该第一闸门与一第三闸门，同时该降温缓冲预烧舱可通过该第一闸门与该主预烧舱相通；

至少一移载装置，该移载装置可移载该多个预烧板并移动于该第一闸门、该第二闸门与该第三闸门之间；以及，

一控制装置，该控制装置可分别控制该主预烧舱及该升温缓冲预烧舱与该降温缓冲预烧舱的测试以及该移载装置。

9.如权利要求8所述的具有多舱结构的半导体元件预烧装置，其特征在于，其中该控制装置是可控制该第一闸门、该第二闸门与该第三闸门之间的开启与关闭。

10.如权利要求8所述的具有多舱结构的半导体元件预烧装置，其特征在于，其中该升温缓冲预烧舱与该降温缓冲预烧舱的容积小于该主预烧舱。