[发明专利]电熔丝电路

权利要求书

1.一种电熔丝电路，该电熔丝电路在编程动作时，使电流通过熔丝元件、或不使电流通过熔丝元件，使该熔丝元件为熔断状态、或非熔断状态，通过这样将该熔丝元件进行编程，其特征在于，其结构为：

具有熔丝元件、第1开关晶体管、以及第2开关晶体管，

所述第1开关晶体管与所述熔丝元件的一端串联连接，而且所述第2开关晶体管与所述熔丝元件的另一端串联连接，或者，所述熔丝元件与所述第1开关晶体管的一端串联连接，而且所述第2开关晶体管与所述第1开关晶体管的另一端串联连接，

在所述第1及第2开关晶体管都导通时，电流通过所述熔丝元件。

2.如权利要求1所述的电熔丝电路，其特征在于，其结构为：

具有多个由所述熔丝元件及所述第1开关晶体管构成的熔丝芯，而且具有1个所述第2开关晶体管。

3.如权利要求1所述的电熔丝电路，其特征在于，其结构为：

还具有与所述第2开关晶体管并联配置的第3开关晶体管，在所述熔丝元件编程时，使所述第2开关晶体管导通，施加第1电压，在非编程时，使所述第3开关晶体管导通，施加电压值低于所述第1电压的第2电压。

4.如权利要求3所述的电熔丝电路，其特征在于，

所述第2及第3开关晶体管是P型晶体管及N型晶体管、或N型晶体管及P型晶体管。

5.如权利要求1所述的电熔丝电路，其特征在于，

所述第2开关晶体管的栅极氧化膜比所述第1开关晶体管要厚。

6.如权利要求1所述的电熔丝电路，其特征在于，

所述第1开关晶体管的栅极氧化膜比所述第2开关晶体管要薄，而且是N型晶体管。

7.如权利要求1所述的电熔丝电路，其特征在于，

所述第2开关晶体管的栅极氧化膜比所述第1开关晶体管要厚，而且是N型晶体管。

8.如权利要求1所述的电熔丝电路，其特征在于，

在与所述第2开关晶体管的栅极连接的信号布线系统中，还具有进行电压变换的电平移动电路，所述电平移动电路仅在所述熔丝元件编程时进行电压变换。

9.如权利要求1所述的电熔丝电路，其特征在于，

在与所述第1开关晶体管的栅极连接的信号布线系统中，还具有进行电压变换的电平移动电路，所述电平移动电路仅在使所述熔丝元件为熔断状态时进行电压变换。

10.如权利要求9所述的电熔丝电路，其特征在于，

所述电平移动电路全部以logic系列的晶体管构成。

11.如权利要求9所述的电熔丝电路，其特征在于，其结构为：

对于所述电平移动电路的高压侧的电源，采用所述第2开关晶体管与所述熔丝元件的连接处的电压。

12.如权利要求9所述的电熔丝电路，其特征在于，其结构为：

对于所述电平移动电路的高压侧的电源，采用所述第2开关晶体管与所述第1开关晶体管的连接处的电压。

13.如权利要求1所述的电熔丝电路，其特征在于，

还具有与电源独立的控制端、以及根据所述控制端的电位将所述第1开关晶体管设定为编程使能状态或非使能状态的电路。

14.如权利要求1所述的电熔丝电路，其特征在于，

还具有与电源独立的控制端、以及根据所述控制端的电位将所述第2开关晶体管设定为编程使能状态或非使能状态的电路。

15.如权利要求13所述的电熔丝电路，其特征在于，

还具有根据所述控制端的电位将所述第2开关晶体管设定为编程使能状态或非使能状态的电路。

16.如权利要求1所述的电熔丝电路，其特征在于，

还具有与电源独立的控制端，同时在与所述第2开关晶体管的栅极连接的信号布线系统中，具有使用从所述控制端输入的信号作为高压侧的电源、进行电压变换的电平移动电路，所述电平移动电路仅在所述熔丝元件编程时进行电压变换。