[发明专利]邻近衬底上的结构形成接触的方法以及相关的半导体器件

权利要求书

1.一种邻近衬底上的结构形成接触的方法，所述方法包括以下步骤：在所述结构和所述衬底之上形成第一衬里，所述第一衬里覆盖所述结构的侧壁；

在所述第一衬里和所述结构之上形成介质层；

在所述介质层中形成到所述第一衬里的接触孔；

在所述接触孔中包括在覆盖所述侧壁的所述第一衬里之上形成第二衬里；

去除在所述接触孔的底部处的所述第一和第二衬里；

使用导电材料填充所述接触孔以形成所述接触。

2.根据权利要求1的方法，其中所述接触孔具有约为所述第二衬里的厚度的两倍的公差。

3.根据权利要求1的方法，其中所述第一衬里包括选自氮化硅和氧化铝的材料。

4.根据权利要求1的方法，其中所述第二衬里是包括选自氮化硅、氧化铝、氮化钽以及氮化钛的材料。

5.根据权利要求1的方法，其中所述第一衬里和所述第二衬里由不同材料制造。

6.根据权利要求1的方法，其中所述第一衬里具有处于约20nm到约2000nm的范围的厚度。

7.根据权利要求1的方法，其中所述介质层相对于所述第一衬里的蚀刻速率比率约为10∶1到约100∶1。

8.根据权利要求1的方法，其中所述第二衬里具有处于约5nm到约200nm的范围的厚度。

9.根据权利要求1的方法，其中所述第一衬里包括本征应力。

10.根据权利要求9的方法，其中所述第二衬里至少保持在所述接触孔的底部边缘处的所述第一衬里的所述本征应力。

11.根据权利要求10的方法，其中所述第二衬里包括本征应力。

12.根据权利要求11的方法，其中所述第二衬里的所述本征应力增加所述第一衬里的所述本征应力。

13.根据权利要求1的方法，其中所述第二衬里包括本征应力。

14.一种半导体器件，包括：

栅极结构，包括介质帽；

接触，邻近所述栅极结构，所述接触延伸越过所述栅极结构的拐角；

第一衬里，沿所述栅极结构的侧壁延伸；以及

第二衬里，在所述栅极结构的所述侧壁之上的所述第一衬里之上。

15.根据权利要求14的半导体器件，其中所述栅极结构具有90nm技术或超越90nm技术的尺寸。

16.根据权利要求14的半导体器件，其中所述第一衬里和所述第二衬里中的至少一个包括本征应力。

17.根据权利要求14的半导体器件，其中所述第一衬里具有处于约20nm到约2000nm的范围的厚度，以及所述第二衬里具有处于约5nm到约20nm的范围的厚度。

18.根据权利要求14的半导体器件，其中所述第一衬里包括氮化硅。

19.一种方法，包括以下步骤：

在衬底上形成栅极结构，所述栅极包括介质帽；

在所述栅极结构和所述衬底之上形成衬里，归因于存在的拓扑沿所述栅极结构的侧壁的所述衬里的厚度基本上大于在所述衬底之上的所述衬里的厚度；以及

形成延伸越过所述栅极结构的所述拐角的接触，在所述接触形成期间所述衬里和所述介质帽防止所述拐角开口。

20.根据权利要求19的方法，其中所述衬里包括本征应力。