[发明专利]氮化物半导体激光元件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造氮化物半导体激光元件的方法，所述方法包括：

在衬底上形成氮化物半导体层的氮化物半导体层形成步骤；

解理在其上形成了所述氮化物半导体层的所述衬底，从而形成两个相互平行的谐振器端面的解理步骤；以及

在所述谐振器端面上形成涂覆膜的涂覆膜形成步骤，其中

所述方法还包括：

在所述涂覆膜形成步骤之前，将所述谐振器端面暴露于由含有氮气的气体生成的第一等离子体气氛当中的第一暴露步骤；以及

在所述第一暴露步骤之前，氧化靶的氧化步骤，所述靶是形成所述涂覆膜的材料。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述氧化步骤和所述第一暴露步骤在相同的膜形成炉中执行，并且在所述氧化步骤中，所述靶在所述膜形成炉内部被氧化。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述氧化步骤包括在所述膜形成炉内部产生由氧气生成的第二等离子体气氛。

4.根据权利要求2所述的方法，其中所述氧化步骤包括在所述膜形成炉内部生成第二等离子体气氛，所述第二等离子体气氛由含有氧气和氩气的混合气体生成，并且通过所述氧化步骤，在所述膜形成炉内部产生形成所述靶的元素的氧化物。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，在自第一暴露步骤到完成涂覆膜形成步骤的时间段内，未将所述谐振器端面暴露于空气当中。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一等离子体气氛由仅含有氮的气体生成。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一等离子体气氛由含有氮和氩的气体生成。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述第一暴露步骤中，将其上形成了所述氮化物半导体层的所述衬底加热至处于100-500℃的范围内的温度。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述第一暴露步骤中，将所述谐振器端面暴露于所述第一等离子体气氛中的时间长度处于30秒到20分钟的范围内。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，通过电子回旋共振生成所述第一等离子体气氛。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，在所述第一暴露步骤中，所述电子回旋共振的微波功率处于200-800瓦的范围内。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述涂覆膜的至少其中之一由Al、Ti、Si、Y、Nb、Ta、Zr、Hf或Zn的氧化物、Al或Si的氮化物或者Al或Si的氮氧化物构成。

13.一种制造氮化物半导体激光元件的方法，所述方法包括：

在衬底上形成氮化物半导体层的氮化物半导体层形成步骤；

解理在其上形成了所述氮化物半导体层的所述衬底，从而形成两个相互平行的谐振器端面的解理步骤；以及

在所述谐振器端面上形成涂覆膜的涂覆膜形成步骤，其中

所述方法还包括：

在所述涂覆膜形成步骤之前，将所述谐振器端面暴露于由含有氮气的气体生成的第一等离子体气氛当中的第一暴露步骤；以及

在所述第一暴露步骤之前，将所述谐振器端面暴露于由惰性气体或惰性气体和氮气的混合气体生成的第三等离子体气氛当中的第二暴露步骤；以及

在所述第二暴露步骤之前，氧化靶的氧化步骤，所述靶是形成所述涂覆膜的材料。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述第二暴露步骤中的所述惰性气体为氩。

15.根据权利要求13所述的方法，其中，在所述第二暴露步骤中，将其上形成了所述氮化物半导体层的所述衬底加热至处于100-500℃的范围内的温度。

16.根据权利要求13所述的方法，其中，在所述第二暴露步骤中，将所述谐振器端面暴露于所述第三等离子体气氛中的时间长度处于30秒到20分钟的范围内。

17.根据权利要求13所述的方法，其中，通过电子回旋共振生成所述第三等离子体气氛。

18.根据权利要求17所述的方法，其中，在所述第二暴露步骤中，所述电子回旋共振的微波功率处于200-800瓦的范围内。