[发明专利]钽电容器的制造方法无效
申请号: | 200810004151.9 | 申请日: | 2008-01-18 |
公开(公告)号: | CN101271766A | 公开(公告)日: | 2008-09-24 |
发明(设计)人: | 李基安 | 申请(专利权)人: | 三星电机株式会社 |
主分类号: | H01G9/00 | 分类号: | H01G9/00;H01G13/00 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 章社杲;李丙林 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 钽电容 制造 方法 | ||
1.一种制造钽电容器的方法,所述方法包括:
通过烧结钽粉末来制备钽颗粒;
氧化所述钽颗粒以在其表面上形成介电层;
在其表面上有所述介电层形成的所述钽颗粒上形成聚合物层;以及
将在其表面上有聚合物层形成的所述钽颗粒浸入聚合物悬浮液中以进行化学重整。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述聚合物悬浮液有纳米级聚合物悬浮在其中。
3.根据权利要求1所述的方法,其中,所述形成聚合物层包括将所述钽颗粒浸入包含单体和氧化剂的溶液中,以使在所述钽颗粒上进行聚合物聚合反应。
4.根据权利要求3所述的方法,其中,所述单体包括选自由噻吩单体、酰亚胺单体、吡咯单体、苯胺单体和呋喃单体组成的组中的一种。
5.根据权利要求3所述的方法,其中,所述氧化剂包括氯化铁和过硫酸铵中的一种。
6.根据权利要求1所述的方法,其中,所述形成聚合物层包括:
通过将所述钽颗粒浸入在所述聚合物悬浮液中而将聚合物沉积在所述钽颗粒上,所述钽颗粒在其表面上有所述介电层形成;以及
干燥其上沉积有所述聚合物的钽颗粒。
7.根据权利要求6所述的方法,其中,所述钽颗粒的干燥是在25℃至260℃的温度下进行的。
8.根据权利要求6所述的方法,其中,重复所述聚合物的沉积和所述钽颗粒的干燥直到所述聚合物被完全沉积。
9.根据权利要求8所述的方法,其中,所述聚合物的沉积和所述钽颗粒的干燥重复进行四次或更多次。
10.根据权利要求1所述的方法,其中,所述聚合物悬浮液是导电的聚合物悬浮液。
11.根据权利要求10所述的方法,其中,所述导电的聚合物包括选自由聚噻吩、聚酰亚胺、聚吡咯、聚苯胺和聚呋喃组成的组中的一种。
12.根据权利要求1所述的方法,其中,所述导电的悬浮液包含导电的聚合物和分散剂。
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