[发明专利]半导体装置以及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

第一薄膜晶体管，该第一薄膜晶体管包括第一栅电极、形成在所述第一栅电极上的第一栅绝缘膜、形成在所述第一栅绝缘膜上的第一无掺杂半导体层、以及形成在所述第一无掺杂半导体层上的第一掺杂半导体层；以及

第二薄膜晶体管，该第二薄膜晶体管包括第二栅电极、形成在所述第二栅电极上的第二栅绝缘膜、形成在所述第二栅绝缘膜上的第二无掺杂半导体层、以及形成在所述第二无掺杂半导体层上的第二掺杂半导体层，

其中，所述第一薄膜晶体管具有与所述第二薄膜晶体管相反的导电性，

并且，所述第一栅绝缘膜的膜厚度和所述第二栅绝缘膜的膜厚度不同。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中，所述第一薄膜晶体管是n型薄膜晶体管，

并且，所述第二薄膜晶体管是p型薄膜晶体管，

并且，所述第一栅绝缘膜的膜厚度比所述第二栅绝缘膜的膜厚度厚。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，

其中，所述第一薄膜晶体管配置在像素部，

并且，所述第二薄膜晶体管配置在周边电路部。

4.一种半导体装置，包括：

第一薄膜晶体管，该第一薄膜晶体管包括第一栅电极、形成在所述第一栅电极上的第一栅绝缘膜、形成在所述第一栅绝缘膜上的第一无掺杂半导体层、以及形成在所述第一无掺杂半导体层上的第一掺杂半导体层；

第二薄膜晶体管，该第二薄膜晶体管包括第二栅电极、形成在所述第二栅电极上的第二栅绝缘膜、形成在所述第二栅绝缘膜上的第二无掺杂半导体层、以及形成在所述第二无掺杂半导体层上的第二掺杂半导体层；以及

第三薄膜晶体管，该第三薄膜晶体管包括第三栅电极、形成在所述第三栅电极上的第三栅绝缘膜、形成在所述第三栅绝缘膜上的第三无掺杂半导体层、以及形成在所述第三无掺杂半导体层上的第三掺杂半导体层，

其中，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管是n型薄膜晶体管，

并且，所述第三薄膜晶体管是p型薄膜晶体管，

并且，所述第一栅绝缘膜的膜厚度及所述第二栅绝缘膜的膜厚度比所述第三栅绝缘膜的膜厚度厚。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，

其中，所述第一薄膜晶体管配置在像素部，

并且，所述第二薄膜晶体管和所述第三薄膜晶体管配置在周边电路部。

6.一种半导体装置，包括：

第一薄膜晶体管，该第一薄膜晶体管包括第一栅电极、形成在所述第一栅电极上的第一栅绝缘膜、形成在所述第一栅绝缘膜上的第一无掺杂半导体层、以及形成在所述第一无掺杂半导体层上的第一掺杂半导体层；

第二薄膜晶体管，该第二薄膜晶体管包括第二栅电极、形成在所述第二栅电极上的第二栅绝缘膜、形成在所述第二栅绝缘膜上的第二无掺杂半导体层、以及形成在所述第二无掺杂半导体层上的第二掺杂半导体层；

第三薄膜晶体管，该第三薄膜晶体管包括第三栅电极、形成在所述第三栅电极上的第三栅绝缘膜、形成在所述第三栅绝缘膜上的第三无掺杂半导体层、以及形成在所述第三无掺杂半导体层上的第三掺杂半导体层；以及

保持电容器，该保持电容器包括第四栅电极、形成在所述第四栅电极上的第四栅绝缘膜、形成在所述第四栅绝缘膜上的第四无掺杂半导体层、以及形成在所述第四无掺杂半导体层上的第四掺杂半导体层；

其中，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管是n型薄膜晶体管，

并且，所述第三薄膜晶体管是p型薄膜晶体管，

并且，所述第一栅绝缘膜的膜厚度及所述第二栅绝缘膜的膜厚度比所述第三栅绝缘膜的膜厚度及所述第四栅绝缘膜的膜厚度厚。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，

其中，所述第一薄膜晶体管和所述保持电容器配置在像素部，

并且，所述第二薄膜晶体管和所述第三薄膜晶体管配置在周边电路部，

并且，所述保持电容器电连接到所述第一薄膜晶体管。

8.根据权利要求1、4、以及6中任一项所述的半导体装置，其中，所述半导体装置是选自电视装置、计算机、便携式信息终端、影像拍摄装置、电话装置中的一种。