[发明专利]半导体封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装结构的制造方法，包括下列步骤：

提供半导体芯片，其上露出多个导电层；

提供第一基板，其具有第一表面与第二表面，所述第一表面露出多个介层插塞；

将所述半导体芯片与所述第一基板接合，其中所述多个导电层对准并接触所述多个介层插塞；

从所述第二表面去除部分所述第一基板，以露出所述多个介层插塞的另一端；

于所述多个介层插塞露出的另一端形成多个凸块底层金属；

于所述多个凸块底层金属上形成多个焊料凸块；以及

提供第二基板，其具有第一表面与第二表面，并将所述多个焊料凸块设置在所述第二基板的第一表面。

2.如权利要求1所述的半导体封装结构的制造方法，其中所述多个导电层包括接合垫或金属层。

3.如权利要求1所述的半导体封装结构的制造方法，其中所述第一基板包括硅、二氧化硅、玻璃、或前述的组合，且所述第一基板的厚度约200-775μm。

4.如权利要求1所述的半导体封装结构的制造方法，其中所述半导体芯片与所述第一基板的接合是以下列方式之一进行：直接接合、阳极接合、共晶接合、粘着接合、或玻璃介质接合。

5.如权利要求1所述的半导体封装结构的制造方法，其中去除部分的所述第一基板是以下列方式之一进行：抛光研磨、化学机械研磨、电化学机械研磨、湿蚀刻、或干蚀刻。

6.如权利要求1所述的半导体封装结构的制造方法，其中去除部分的所述第一基板后，所述第一基板剩余的厚度约50-300μm。

7.如权利要求1所述的半导体封装结构的制造方法，还包括在第一基板与所述第二基板之间填入底部填充胶。

8.如权利要求1所述的半导体封装结构的制造方法，还包括于所述第二基板的第二表面形成多个焊球。

9.如权利要求8所述的半导体封装结构的制造方法，还包括将所述多个焊球设置在第三基板上。

10.一种半导体封装结构，包括：

半导体芯片，其上露出多个导电层；

第一基板，其具有多个介层孔洞，所述多个介层孔洞中具有多个介层插塞，所述第一基板的第一侧露出所述多个介层插塞的一端，所述第一基板的第二侧露出所述多个介层插塞的另一端，其中所述半导体芯片与所述第一基板接合，且所述多个导电层对准并接触第一侧的所述多个介层插塞；

多个凸块底层金属，设置在所述多个介层插塞的另一端；

多个焊料凸块，设置在所述多个凸块底层金属上；以及

第二基板，其具有第一表面与第二表面，其中所述多个焊料凸块设置在所述第二基板的第一表面。

11.如权利要求10所述的半导体封装结构，还包括多个焊球设置于所述第二基板的第二表面。

12.如权利要求11所述的半导体封装结构，还包括第三基板，其上设置所述多个焊球。

13.如权利要求10所述的半导体封装结构，其中所述导电层包括接合垫或金属层。

14.如权利要求10所述的半导体封装结构，其中所述第一基板包括硅、二氧化硅、玻璃、或前述的组合，且所述第一基板的厚度约50-300μm。

15.如权利要求10所述的半导体封装结构，其中在第一基板与所述第二基板之间还包括底部填充胶。