[发明专利]压变电容装置

权利要求书

1.一种压变电容装置，其特征是包含：

薄膜；

背板，具有挖空的结构，该薄膜与该背板相互平行，该挖空的结构具有 至少一悬臂结构；以及

至少一突起结构，位于该薄膜与该背板之间，其中，该突起结构与该悬 臂结构形成支撑体，当压力传输至薄膜时，该突起结构会与该悬臂结构接触， 而该薄膜因该突起结构的下压而产生形变，该薄膜因此而有位移的变形量， 电容的电场分布于该薄膜与该背板四周之间。

2.如权利要求1所述的压变电容装置，其中该悬臂结构是桥状结构。

3.如权利要求1所述的压变电容装置，其中该薄膜是具有桥状的弹性结 构图案。

4.如权利要求1所述的压变电容装置，其中该突起结构高度决定该背板 与该薄膜间的平行间距。

5.如权利要求1所述的压变电容装置，其中该背板位于该薄膜之上。

6.如权利要求1所述的压变电容装置，其中该薄膜位于该背板之上。

7.如权利要求1所述的压变电容装置，其中该突起结构形成于该薄膜之 上。

8.如权利要求1所述的压变电容装置，其中还包括基板，该薄膜与该背 板之一制作于该基板上。

9.如权利要求1所述的压变电容装置，其中该悬臂结构与该突起结构以 光刻工艺制造。

10.如权利要求8所述的压变电容装置，其中该悬臂结构、该基板与该薄 膜使用一个或多个材料所组成，所述材料包括以碳为基质的聚合物 (Carbon-based polymers)、硅(Silicon)、氮化硅(Silicon nitride)，多晶硅 (Polycrystalline silicon)、非晶硅(Amorphous silicon)、二氧化硅(Silicon  dioxide)、碳化硅(Silicon carbide)、锗(Germanium)、镓(Gallium)、砷化物 (Arsenide)、碳(Carbon)、钛(Titanium)、金(Gold)、铁(Iron)、铜(Copper)、铬 (Chromium)、钨(Tungsten)、铝(Aluminum)、铂(Platinum)、镍(Nickel)、钽 (tantalum)或其合金。

11.如权利要求1所述的压变电容装置，其应用于压力感测器、加速度感 测器与超声波感测器的封装。

12.如权利要求1所述的压变电容装置，其中该压力是声压。

13.如权利要求1所述的压变电容装置，其中该薄膜位移的变形量与该悬 臂突起结构的形变形成电容量的改变。

14.一种压变电容装置，其特征是包含：

薄膜；

背板，具有挖空的结构，该薄膜与该背板相互平行，该挖空的结构具有 至少一悬臂结构；以及

至少一突起结构，位于该薄膜与该背板之间，其中，该突起结构与该悬 臂结构形成支撑体，当压力传输至薄膜时，该突起结构会与该薄膜接触，而 该薄膜因该突起结构的下压而产生形变，该薄膜因此而有位移的变形量，电 容的电场分布于该薄膜与该背板四周之间，

其中该突起结构形成于该背板的该悬臂结构上。

15.一种薄膜支撑结构，其特征是包含：

薄膜；

背板，具有挖空的结构，该薄膜与该背板相互平行，该挖空的结构具有 至少一悬臂结构；以及

至少一突起结构，位于该薄膜与该背板之间，其中，该突起结构与该悬 臂结构形成支撑体，当压力传输至薄膜时，该悬臂结构会因该突起结构的下 压而产生形变，该薄膜因此而有位移的变形量。

16.如权利要求15所述的薄膜支撑结构，其中该悬臂结构是桥状结构。

17.如权利要求15所述的薄膜支撑结构，其中该薄膜是具有桥状的弹性 结构图案。