[发明专利]发光元件及其制造方法以及发光元件组件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造发光元件的方法，包括如下步骤：

(A)在衬底上依次形成

具有第一导电类型的第一化合物半导体层，

有源层，和

具有第二导电类型的第二化合物半导体层；

(B)形成在厚度方向上穿透该第二化合物半导体层和该有源层并且在所述厚度方向上延伸到第一化合物半导体层中的大致中点的多个点状孔部分，所述多个点状孔部分至少在位于将要提供有电流限制区域的区域外侧的第二化合物半导体层的区域中；

(C)通过将部分该第二化合物半导体层从该孔部分的侧壁进行绝缘处理来形成绝缘区域，从而在该第二化合物半导体层中制备由该绝缘区域围绕的电流限制区域；以及

(D)选择性地去除至少部分该第二化合物半导体层和该有源层，从而形成台形结构，所述台形结构的周边在所述点状孔部分和所述电流限制区域之间。

2.根据权利要求1所述的制造发光元件的方法，其中在步骤(C)中从该孔部分的侧壁应用到部分该第二化合物半导体层上的该绝缘处理中，通过从一个孔部分的侧壁进行该绝缘处理来形成一个绝缘区域，通过从相邻于该一个孔部分的另一个孔部分的侧壁进行该绝缘处理来形成另一个绝缘区域，并且在该两个绝缘区域结合在一起之前，由该绝缘处理发展的绝缘区域的边缘的曲率相对于各孔部分取正的值。

3.根据权利要求1所述的制造发光元件的方法，其中在步骤(C)中从该孔部分的侧壁应用到部分该第二化合物半导体层上的该绝缘处理中，通过从一个孔部分的侧壁进行该绝缘处理来形成一个绝缘区域，通过从相邻于该一个孔部分的另一个孔部分的侧壁进行该绝缘处理来形成另一个绝缘区域，并且在该两个绝缘区域结合在一起之前，由该绝缘处理发展的绝缘区域的边缘的长度随着该绝缘处理的进行而增加。

4.根据权利要求1所述的制造发光元件的方法，其中该多个点状孔部分的顶部分设置在位于将要提供有该电流限制区域的区域外侧的虚拟封闭曲线上。

5.根据权利要求4所述的制造发光元件的方法，其中该虚拟封闭曲线是圆。

6.根据权利要求1所述的制造发光元件的方法，其中M值为三或者更大，这里M代表孔部分的数量。

7.根据权利要求1所述的制造发光元件的方法，其中该绝缘处理是应用到部分该第二化合物半导体层的氧化处理。

8.根据权利要求7所述的制造发光元件的方法，其中在该氧化处理中采用高温蒸汽。

9.根据权利要求1所述的制造发光元件的方法，

其中该第二化合物半导体层包括从该有源层侧开始的下层、中间层和上层的三层结构，

至少该中间层由包含铝作为III族原子的III-V族半导体形成，

该绝缘区域和该电流限制区域形成在该中间层中，并且

该中间层的化合物半导体成分中铝的原子百分比值高于该下层和该上层的化合物半导体成分中铝的原子百分比值。

10.根据权利要求1所述的制造发光元件的方法，其中在进行步骤(C)之后，在步骤(D)中选择性地去除该第二化合物半导体层和该有源层的至少部分，以便暴露该第一化合物半导体层的一部分，并且制备至少包括留下的该第二化合物半导体层和有源层的所述台形结构。

11.根据权利要求10所述的制造发光元件的方法，其中在制备该台形结构之后，形成连接到该第一化合物半导体层的第一电极，并且在该第二化合物半导体层的该顶表面的部分上形成第二电极。

12.根据权利要求1所述的制造发光元件的方法，其中该发光元件包括用于从该第二化合物半导体层发光的面发射激光元件。